Литовченко, В. Г. Результат Нобелівського рівня. Академік НАН України Вадим Євгенович Лашкарьов видатний фізик ХХ сторіччя, першовідкривач р-n-переходу (до 55-річчя створення Інституту фізики напівпровідників НАН України) [Текст] / В. Г. Литовченко // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 2. - С. 187-190 : рис. 3, фот. 3. - Бібліогр.: с. 190 (6 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Історія фізики История физики Україна Украина Кл.слова (ненормовані): українські фізики -- фізика напівпровідників -- фізика поверхні напівпровідників -- вентильний фотоефект -- транзитний ефект -- украинские физики -- физика полупроводников -- физика поверхности полупроводников -- вентильный фотоэффект -- транзитный эффект -- біографії науковців -- биографии ученых -- вчені-фізики -- ученые-физики -- наукова діяльність -- научная деяткльность Анотація: Присвячена науково-біографічним даним про Вадима Євгеновича Лашкарьова, видатного українського фізика ХХ століття - першовідкривача р-n-переходу, що є результатом Нобелівського рівня. В. Є. Лашкарьов засновник і перший директор Інституту фізики напівпровідників АН України, 55-річчя з дня його затвердження виповнилось 7 жовтня 2015 року. Стаття ініційована Науковою Радою з фізики напівпровідників АН України, першим головою якої був В. Є. Лашкарьов. Основні результати початкового етапу наукової діяльності В. Є. Лашкарьов отримав в галузі досліджень поверхні твердих тіл методом дифракції повільних електронів, а після повернення із заслання - досліджень фотоелектричних властивостей нового на той час класу речовин - напівпровідників і досліджень їх поверхні та об'єму. В. Е. Лашкарьов залишив після себе відому наукову школу з фізики напівпровідників, основу якої складають кадри Інституту фізики напівпровідників НАНУ (Київ) та чисельнні кадри університетів різних міст. Залишив після себе близько 120 публікацій, огляди, монографії. Дод.точки доступу: Лашкарьов, Вадим Євгенович (видатний фізик; засновник і перший директор Інституту фізики напівпровідників АН України ; 1903-1974) \о нем\ Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене) |
Литовченко, В. Г. Механізм адсорбо-каталітичної активності наноструктурованої поверхні кремнію, легованої кластерами перехідних металів та їх оксидами / В. Г. Литовченко, Т. І. Горбанюк, В. С. Солнцев // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 7. - С. 601-610 : рис. 11, табл. 2. - Бібліогр.: с. 609-610 (25 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Загальні питання фізики Общие вопросы физики Кл.слова (ненормовані): наноструктурований кремній -- наноструктурированный кремний -- наночастинки -- наночастицы -- перехідні метали та їх окисли -- переходные металлы и их окислы -- адсорбційна чутливість -- адсорбционная чувствительность -- сірководень -- сероводород -- газовий сенсор -- газовый сенсор Анотація: Проведено теоретичний аналіз механізмів адсорбо-каталітичної активації композитів, виготовлених на основі поруватого кремнію з інкорпорованими наночастинками перехідних металів (Pd, W, Cu) та їх оксидів. Встановлено вплив адсорбованих атомів акцепторних елементів (О, S, F, Cl) на каталітичну активність перехідних металів при формуванні поверхневих нанокластерів оксидів перехідних металів. Механізм підвищення каталітичної активності перехідних металів з повністю заповненою d-зоною, імовірно, може полягати в зміні заповнення електронами d-станів (появі d-дірок над рівнем Фермі) при утворенні поверхневих нанокластерів оксидів перехідних металів. Представлено результати експериментальних досліджень адсорбо-електричного ефекту методом високо-частотних вольт-фарадних характеристик газочутливих структур з бар'єрами Шотткі, які характеризують дані процеси. Проведено аналіз експериментальних ізотерм адсорбції водню та сірководню на поверхні наноструктурованих композитів кремнію з нанокластерами міді, вольфраму, паладію та їх оксидів в порах. Було виявлено підвищену адсорбційну чутливість даних композитів до різних газів (Н[[d]]2[[/d]], Н[[d]]2[[/d]]S, H[[d]]2[[/d]]O) в порівнянні зі звичайним поруватим шаром кремнію. Встановлено, що при низьких тисках газу (?25 ppm) та/або при малих часах взаємодії адсорбат-підкладка реалізується механізм фізичної адсобрції, а при більш високих тисках та довготривалих процесах - хемосорбції. Цей висновок узгоджується з даними, отриманими з розрахунків теплоти адсорбції по експериментальним ізотермам, які дають значення 0,3-0,5 еВ. Перейти к внешнему ресурсу: \\New\textlok\Укр_фізич_журн_2017_7\8.pdf Дод.точки доступу: Горбанюк, Т. І.; Солнцев, В. С. |
Литовченко, В. Г. Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах / В. Г. Литовченко // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 6. - С. 526-529 : рис. 3. - Бібліогр.: с. 528-529 (11 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Будова матерії Строение материи Кл.слова (ненормовані): диференціальна провідність -- дифференциальная проводимость -- напівпровідникові моношари -- полупроводниковые монослои -- зона провідності -- зона проводимости -- дрейфова швидкість -- дрейфовая скорость Анотація: Вперше адаптовано для 2D напівпровідникових моношарів типу MoS[[d]]2[[/d]] та WS[[d]]2[[/d]] просту теоретичну модель розігріву електронів у системі з двома долинами. Показано, що така модель добре описує наявні експериментальні дані щодо ефекту негативної диференціальної провідності в моношарі WS[[d]]2[[/d]] й підтверджує можливість створення на таких структурах нового покоління діодів Ганна. Частоти, які може бути отримано на таких діодах, становлять порядку 10 ГГц і вище, що робить такі діоди потенційно привабливими для низки практичних застосувань. Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_жур\Укр_фізич_журн_2018_6\7.pdf Дод.точки доступу: Курчак, А. І.; Стріха, М. В. |