Баранський, П. І. Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2010. - № 11. - С. 77-80 : ил. - Библиогр.: с. 79-80. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Енергетика Провідникові матеріали та вибір Кл.слова (ненормовані): провідникові матеріали -- проводниковые материалы -- ізотропність -- изотропность -- розсіяння -- рассеяние -- легуючі домішки -- легирующие примеси -- n-кремній -- n-кремний -- монокристали -- монокристаллы -- градієнт температури -- градиент температуры -- анізотропія -- анизотропия Анотація: Експерементально доведено, що в сильно легованих монокристалах наявність градієнта температури не приводить до прояву анізотропії у флуктуативному розподілі легуючої домішки. Дод.точки доступу: Гайдар, Г. П. Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене) |
Баранський, П. І. Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si / П. І. Баранський, В. М. Бабич, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 9. - С. 87-92 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Енергетика Напівпровідникові матеріали і вироби Кл.слова (ненормовані): напівпровідникові матеріали -- полупроводниковые материалы -- напівпровідникові вироби -- полупроводниковые изделия -- монокристали -- монокристаллы -- тензоопір -- тензоопир -- концентраційна залежність -- концентрационная зависимость Анотація: Розглядається концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si. Утримувачі документа: НТБ НТУ "ХПІ" Дод.точки доступу: Бабич, В. М.; Гайдар, Г. П. |
Баранський, П. І. Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n-Sі / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 5. - С. 70-75 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Енергетика Напівпровідникові матеріали та вироби Кл.слова (ненормовані): фізика -- физика -- напівпровідникові матеріали -- полупроводниковые материалы -- високотемпературні відпали -- высокотемпературные отпали -- електрони -- электроны -- параметри анізотропій -- параметры анизотропий Анотація: Розглядається вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n-Si. Утримувачі документа: НТБ НТУ "ХПІ" Дод.точки доступу: Гайдар, Г. П. |
Гайдар, Г. П. Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n-Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації [Текст] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2015. - № 6. - С. 68-73 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Фізика Напівпровідникові матеріали та вироби Физика Полупроводниковые материалы и изделия Анотація: На зразках n-Ge одержано експериментальний доказ того, що в умовах сильної направленої пружної деформації відбувається лише відносне зміщення ізоенергетичних еліпсоїдів у шкалі енергій, однак форма еліпсоїдів залишається при цьому незмінною. Утримувачі документа: НТБ НТУ "ХПІ" Дод.точки доступу: Баранський, П. І. |
Гайдар, Г. П. Вплив iзовалентної домiшки Ge i термовiдпалiв на електрофiзичнi властивостi кристалiв кремнiю / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2016. - № 7. - С. 62-69 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Фізика Електротехніка у цілому Техника Электротехника в целом Кл.слова (ненормовані): германій -- термодонори -- термовідпали -- опромінення -- швидкі нейтрони -- радіаційна стійкість -- електрично-активні центри -- механічні напруження -- германий -- термодоноры -- термоотжиг -- облучение -- быстрые нейтроны -- радиационная стойкость -- механические напряжения Анотація: У зразках Cz?Si n-типу, легованих iзовалентною домiшкою германiю, виявлено суттєве зниження ефективностi утворення термодонорiв у процесi термовiдпалiв, а також встановлено пiдвищення радiацiйної стiйкостi приблизно на порядок при опромiненнi nSi (Ge) швидкими нейтронами реактора. Дод.точки доступу: Баранський, П. І. |
Гайдар, Г. П. Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал . - 2017. - № 5. - С. 45-50 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Енергетика Напівпровідникові матеріали та вироби Кл.слова (ненормовані): кремній -- кремний -- германій -- германий -- концентрація домішок -- концентрация примесей -- параметри анізотропії термо-ЕРС -- параметры анизотропии термо-ЭДС -- кристали -- кристаллы -- електрони -- электроны -- напівпровідникові матеріали -- полупроводниковые материалы Анотація: При Т = 85 K на кристалах n-Ge та n-Si досліджено концентраційні залежності параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами у M=?[[p]]?[[/p]]||/?[[p]]?[[/p]]? у широкому інтервалі концентрацій (1,9 · 10[[p]]12[[/p]] n[[d]]е[[/d]] ? N[[d]]I[[/d]] 4,6 · 10[[p]]17[[/p]] см[[p]]–3[[/p]]). Показано, що в n-Ge (на відміну від n-Si) параметр М є малочутливим до наявності домішок у кристалах аж до концентрацій ~10[[p]]15[[/p]] см[[p]]–3[[/p]]. Дод.точки доступу: Баранський, П. І. |