Безверхний , Игорь. Обзор UOC-поцессоров третьего поколения от NXP Semiconductors серий TDA110xxH/H1 и TDA120xxH/H1 / И. Безверхний // Радиоаматор. - 2013. - № 5. - С. 41-43 : ил. - (Электронные компоненты). - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ
Телевизионная техника Кл.слова (ненормовані): процессоры UOC для телевизоров -- процесори UOC для телевізорів -- микросхемы третьего поколения -- мікросхеми третього покоління -- телевизоры -- телевізори -- электроника -- електроніка -- UOC-процесори -- UOC-процессоры Анотація: Краткий обзор UOC-процессоров третьего поколения от NXP Semiconductors. Утримувачі документа: КРУ "Универсальная научная библиотека им. И. Я. Франко" : 95017 |
Безверхний , Игорь. Обзор UOC-процессоров третьего поколения от NXP Semiconductors серий TDA110xxH/H1 и TDA120xxH/H1 / И. Безверхний // Радиоаматор. - 2013. - № 6. - С. 24-26 : табл. - (Электронные компоненты). - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ
Телевизионная техника Кл.слова (ненормовані): процессоры для телевизоров -- процесори для телевізорів -- UOC-процесори -- микросхемы третьего поколения -- мікросхеми третього покоління -- телевизоры -- телевізори -- электроника -- електроніка Анотація: Краткий обзор UOC-поцессоров третьего поколения от NXP Semiconductors. Утримувачі документа: КРУ "Универсальная научная библиотека им. И. Я. Франко" : 95017 |
Peleshchak, R. M. Formation of periodic structures under the influence of an acoustic wave in semiconductors with a two-component defect subsystem [Text] / R. M. Peleshchak // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 8. - С. 746-751 : рис. 2, табл. 1. - Бібліогр.: с. 751 (19 назв)
Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому Кл.слова (ненормовані): point defects -- acoustic wave -- diffusion -- deformation -- точкові дефекти -- акустична хвиля -- дифузія -- деформація тіл -- механіка деформованих тіл -- пружність -- механика деформируемых тел -- упругость -- деформация тел Анотація: A deformation-diffusion model describing the formation of periodic structures in semiconductors with a two-component defect subsystem by means of an acoustic wave has been developed. The theory makes allowance for the deformation created by the acoustic wave and point defects. In the framework of this model, a possibility of the ultrasound-stimulated hydrogen passivation of electrically active Cl centers in the CdTe semiconductor and the size dispersion reduction of strained InAs/GaAs quantum dots doped with an isovalent impurity are analyzed. Побудовано деформаційно-дифузійну модель формування періодичних структур під впливом акустичної хвилі у напівпровідниках з двокомпонентною дефектною підсистемою. Запропонована теорія враховує деформацію, створену акустичною хвилею та точковими дефектами. У межах даної моделі проаналізовано можливість стимулювання ультразвуком пасивації електрично активних центрів Cl воднем у напівпровіднику CdTe та зменшення дисперсії розмірів напружених квантових точок InAs/GaAs, легованих ізовалентною домішкою. Дод.точки доступу: Kuzyk, O. V.; Dan'kiv, O. O. Є примірники у відділах: ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний) |
Semiempirical energies of vacancy formation in semiconductors [Text] / I. V. Horichok, H. Ya. Hurhula // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 11. - С. 997-1012 : табл. 7. - Бібліогр.: с. 1010-1012 (75 назв)
Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому Кл.слова (ненормовані): semiconductors -- point defects -- defect formation energy -- Huckel method -- напівпровідники -- точкові дефекти -- енергія появи дефектів -- метод Хюккеля -- Хюккеля метод Анотація: Використовуючи розширений метод Хюккеля, а також методи, що базуються на використанні термохімічних, термодинамічних та електрофізичних даних, визначено енергії утворення вакансій металу та халькогену у напівпровідникових кристалах А[[p]]ІІ[[/p]]В[[p]]VI[[/p]], А[[p]]III[[/p]]В[[p]]V[[/p]] та А[[p]]IV[[/p]]В[[p]]VI[[/p]]. Встановлена кореляція отриманих значень як між собою, так і з літературними експериментальними та теоретичними ab initio даними, що свідчать про їх адекватність і можливість використання для оцінки концентрацій цих дефектів у напівпровідниках. Дод.точки доступу: Horichok, I. V.; Hurhula, H. Ya.; Prokopiv, V. V.; Pylyponiuk, M. A. Є примірники у відділах: ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний) |
Tursunov, I. G. Investigations of the deep-level parameters in semiconductors / I. G. Tursunov // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 12. - С. 1034-1036. - Бібліогр.: с. 1036 (6 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Будова матерії Строение материи Кл.слова (ненормовані): deformation -- методи деформації -- методы деформации -- impurities -- домішки -- примеси -- strain resistance -- стійкість до опору -- сопротивление деформации -- hydrostatic pressure -- гідростатичний тиск -- гидростатическое давление -- параметры глубокого уровня -- параметри глибокого рівня -- компенсовані напівпровідники -- компенсованніе полупроводники -- надкомпенсовані напівпровідники -- надкомпенсованные полупроводники Анотація: Пропонуються методи деформації для дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках. Він базується на вимірах параметрів деформації компенсованих і надкомпенсованих напівпровідників. Досліджено динамічні зміни струму в компенсованих та надкомпенсованих зразках р-типу Si : Ni та n-типу Si : Mn при однорідному імпульсному гідростатичному стискуванні (ОГС). Встановлено, що р-типу Si : Ni зразках енергія іонізації Ni при ОГС збільшується. Навпаки, вона зменшується в зразках n-типу Si : Mn. Енергія іонізації та баричний коефіцієнт зсуву рівнів Ni і Mn були обмеженими Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_12\4.pdf |
Trubaieva, O. G. Band gap change of bulk ZnS[[d]]x[[/d]]Se[[d]]1-x[[/d]] semiconductors by controlling the sulfur content / O. G. Trubaieva, A. I. Lalayants // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 1. - P. 32-36 : рис. 4, табл. 1. - Бібліогр.: с. 35-36 (28 назв.). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Оптичні властивості і спектри Оптические свойства и спектры Кл.слова (ненормовані): ZnS[[d]]x[[/d]]Se[[d]]1-x[[/d]] -- bulk crystals -- об'ємні кристали -- обьемные кристаллы -- direct transitions -- прямі переходи -- прямые переходы -- indirect transitions -- непрямі переходи -- непрямые переходы -- band gap -- заборонена зона -- запрещенная зона Анотація: Об'ємні кристали ZnS[[d]]x[[/d]]Se[[d]]1-x[[/d]] були вирощені за методом Бриджмена-Стокбаргера. Прозорість зразків ZnS[[d]]x[[/d]]Se[[d]]1-x[[/d]] становила від 67% до 56% на ? = 1100 нм (товщина зразка 4 мм), що вказує на високу оптичну якість кристалів. Оптичні експерименти показали відсутність нових станів з включенням сірки, заборонена зона безперервно рухається зі складом. Оптична ширина забороненої зони ZnS[[d]]x[[/d]]Se[[d]]1-x[[/d]] кристала варіювалася від 2,59 до 2,78 еВ для прямих переходів і від 2,49 до 2,70 еВ для непрямих переходів. Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_жур\Укр_фізич_журн_2018_1\4.pdf Дод.точки доступу: Lalayants, A. I.; Chaika, M. A. |
Mykhaylovskyy, V. V. Pulses of the excitonic condensed phase in semiconductors with double quantum well at steady pumping: size effects / V. V. Mykhaylovsky, V. I. Sugakov // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 5. - P. 396-401 : рис. 4. - Бібліогр.: с. 400-401 (32 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Будова матерії Строение материи Кл.слова (ненормовані): luminescence -- люмінесценція -- люминесценция -- indirect excitions -- непрямі збудження -- косвенные возбуждения -- double quantum well -- подвійна квантова свердловина -- двойная квантовая скважина -- self-organisation -- самоорганізація -- самоорганизация -- traveling pulses -- подорожні імпульси -- движущиеся импульсы Анотація: Проаналізовано умови, за яких виникає генерація і рух солітонів (областей екситонних конденсованих фаз) в подвійних квантових ямах напівпровідників при стаціонарній накачці і наявності зовнішньої тянучої сили. Показано, що існує мінімальний розмір системи, при якому стан з рухомими салітонами може бути створений. Знайдена залежність мінімального значення тянучої сили, необхідної для генерації рухомих солітонів, від розмірів системи. Дод.точки доступу: Sugakov, V. I. |
В 47 Seredyuk, B. Influence of the metallic impurities in A3B6 type layered semiconductors on their electrical, magnetic and structural properties / Bohdan Seredyuk // Вимірювальна техніка та метрологія : міжвід. науково-технічний збірник, вид. з 1965 р. / Львів. політех. - Львів : Львівська політехніка, 2017. - Вип. 78. - С. 10-15. - Бібліогр. в кінці ст.
Электроизмерительная техника Кл.слова (ненормовані): layered semiconductor -- шаруватий напівпровідник -- impedance -- імпеданс -- Bode diagrams -- діаграми Боде -- intercalation -- інтеркаляція Дод.точки доступу: Стадник, Б. І. \ред.\; Львівська політехника Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене) |