Achenefe, Y. Electron scattering in graphene by remote nanomagnets / Y. Achenefe, T. Senbeta, V. N. Mal'nev // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 5. - С. 400-406 : рис. - Бібліогр.: с. 405-406 (9 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Наносистеми Наносистемы Україна Украина Кл.слова (ненормовані): graphene -- nanomagnets -- scattering amplitude -- наномагніти -- наномагниты -- графени -- неоднорідне магнітне поле -- неоднородное магнитное поле -- пружне розсіяння електронів -- упругое рассеяние электронов -- борнівське наближення -- борнивское приближение -- перетини розсіяння електронів -- сечения рассеяния электронов -- провідність графена -- проводимость графена Анотація: The elastic electron scattering by a nonuniform magnetic field of remote nanomagnets in graphene is considered with the help of a modified Born approximation. The nanomagnets are modeled by point-like magnetic dipoles oriented transversally and in parallel to the graphene plane. They can form rather high magnetic fields without any damage of the graphene plane. The electron scattering cross sections are obtained in the closed form and analysed numerically. It is shown that this mechanism of scattering has nonzero backscattering cross-section and can considerably affect the graphene conductivity. Розглянуто пружне розсіяння електронів в графені неоднорідним магнітним полем далеких наномагнітів у рамкахмодіфікованого борнівського наближення. Наномагніти моделюються точковими магнітними диполями, орієнтованими перпендікулярно і паралельно площині графена. Знайдено в замкнутому вигляді і чисельно проаналізовано перетини розсіювання електронів. Показано, що цей механізм розсіювання містить ненульований перетин розсіювання назад і може помітно впливать на провідність графена. Дод.точки доступу: Senbeta, T.; Mal'nev, V. N. Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене) |
Synthesis, properties, and application of graphene-based materials obtained from carbon nanotubes and acetylene black [Text] / M. O. Danilov [та ін.] // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 10. - С. 915-922 : рис. 5, табл. 1. - Бiблiогр.: с. 920-921 (42 назви)
Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому Графит. Алмаз Електрохімія Электрохимия Група вуглеців Группа углеродов Кл.слова (ненормовані): graphene oxide -- reduced graphene oxide -- electrocatalysis -- electrode materials for oxygen electrode -- графіт -- алмаз -- вуглецеві нанотрубки -- багатошарові вуглецеві нанотрубки -- синтезований оксид графену -- відновлений оксид графену -- електрокаталіз -- електродні матеріали для кисневих електродів -- графит -- алмаз -- углеродные нанотрубки -- многослойные углеродные нанотрубки -- синтезированный оксид графена -- восстановленный оксид графена -- электрокатализ -- электродные материалы для кислородных электродов Анотація: З багатошарових вуглецевих нанотрубок та ацетиленової сажі були синтезовані оксид графену і відновлений оксид графену. Застосовуючи відповідний окислювач, можна поздовжньо "розгорнути" нанотрубки з утворенням нанострічок оксиду графену, а потім, впливаючи відновником, отримати відновлений оксид графену. Для вибору окислювача і відновника використані стандартні окислювально-відновні потенціали вуглецю. Різними фізико-хімічними методами було доведено отримання графоподібних матеріалів. Синтезовані продукти використані в ролі електродного матеріалу для кисневих електродів паливних джерел струму. Встановлено, що електрохімічні характеристики електродві з графенових матеріалів залежать від окислювально-відновної здатності реагентів. Показано, що отримані матеріали є перспективними носіями каталізаторів для електродів хімічних джерел струму. Дод.точки доступу: Danilov, M. O.; Rusetskii, I. A.; Slobodyanyuk, I. A.; Dovbeshko, G. I.; Kolbasov, G. Ya.; Stubrov, Yu. Yu. Є примірники у відділах: ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний) |
Properties of graphene flakes obtained by treating graphite with ultrasound / V. O. Yukhymchuk [et al.] // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 5. - P429-437 : рис. 6, табл. 1. - Бібліогр.: с. 435-436 (33 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Физическая оптика Фізична оптика Кл.слова (ненормовані): graphene -- графен -- Raman spectroscopy -- раманівська спектроскопія -- ultrasound treatment -- ультразвукова обробка -- vacancy and edge defects -- вакансійні та крайові дефекти -- scanning electron microscopy -- скануюча електронна мікроскопія Анотація: Продемонстрована можливість отримання графену та шарів на його основі за допомогою ультразвукової (УЗ) обробки піролітичного графіту в розчині N-метіл піролідону (NMP). Підтверджено, що ефективним методом діагностики процесу трансформації графіту в графен є раманівська спектроскопія. Варіюванням часу УЗ обробки піролітичного графіту в розчині NMP встановлені оптимальні режими отримання графенових флейків з різною кількістю шарів. Зокрема, показано, що УЗ обробка протягом 5 годин достатня для отримання колоїдного розчину графенових флейків, більшість з яких є одношаровими. Показано, що зі збільшенням часу УЗ обробки зростає інтенсивність раманівських смуг D та D', що свідчить про зростання кількості дефектів в графенових шарах УЗ обробки. Проаналізовано вплив вакансійних та крайових дефектів на величину співвідношення І[[d]]D[[/d]]/I[[d]]D[[/d]] смуг та встановлено, що переважаючим типом дефектів в графенових флейках є вакансії. Перейти к внешнему ресурсу: \\New\textlok\Укр_фізич_журн_2017_5\9.pdf Дод.точки доступу: Yukhymchuk, V. O.; Valakh, M. Ya; Hreshchuk, O. M.; Havrylyuk, Ye. O.; Yanchuk, I. B.; Yefanov, A. V.; Arif, R. N.; Rozhin, A. G.; Skoryk, M. A. |
Strikha, M. V. Influence оf domain structure in ferroelectric substrate on graphene conductance (authors' review) / M. V. Strikha // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 1. - P. 48-68. - Бібліогр.: с. 66-68 (69 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Будова матерії Строение материи Кл.слова (ненормовані): graphene-on-ferroelectric structure -- графенова сегнетоелектрична структура -- графеновая сегнетоэлектрическая структура -- domain structure -- доменна структура -- доменная структура -- conductance -- провідність -- проводимость -- field effect transistor -- польовий транзистор -- полевой транзистор Анотація: Огляд присвячено останнім теоретичним дослідженням впливу доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графенового каналу. Розглянутий аналітичний опис ефектів пам'яті гістерезисного типу у польовому транзисторі на основі графена-на-сегнетоелектрику, з урахуванням адсорбованих дипольних шарів на вільній поверхні графену і локалізованих станів на його інтерфейсах. Аналізуються аспекти нещодавно розвинутої теорії провідності p-n переходів у графеновому каналі на сегнетоелектричній підкладці, які створені 180-градусною сегнетоелектричною доменною структурою, причому розглянуті випадки різних режимів струму, від балістичного до дифузійного. Обговорюється вплив розмірних ефектів у таких системах та можливість використання результатів для вдосконалення характеристик польових транзисторів з графеновим каналом, комірок енергонезалежної сегнетоелектричної пам'яті з довільним доступом, сенсорів, а також для мініатюризації різних пристроїв функціональної наноелектроніки. Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_жур\Укр_фізич_журн_2018_1\6.pdf Дод.точки доступу: Kurchak, A. I.; Morozovska, A. N. |