Mazur, Yu. P. Influence of a cold plastic deformation on the electrical resistivity of CrMnFeCoNi high-entropy alloy / Yu. P. Mazur, R. V. Ostapenko, M. P. Semen'ko // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 5. - P. 410-418 : рис. 7. - Бібліогр.: с. 417-418 (32 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Строение материи Будова матерії Кл.слова (ненормовані): high-entroy alloy -- electrical resistivity -- електроопір -- K-state -- К-стан -- plastic deformation -- пластична деформація -- structure -- високоентропійні сплави -- высокоэнтропийные сплавы -- холодна деформація вальцюванням -- холодная деформация вальцеванием Анотація: Досліджено вплив холодної деформації вальцюванням на електротранспортні властивості високоентропійного сплаву (BECy) CrMnFeCoNi. Показано, що з ростом величини деформації при вальцюванні, ?, питомий електроопір, р, цього сплаву зменшується, а температурний коефіцієнт опору, ?, зростає. При цьому, методом рентгенівської дифракції ніяких фазових змін не виявлено. Така поведінка р та ? від ? відрізняється від поведінки цих величин більшості традиційних металевих сплавів. Встановлено, що температурна залежність електроопору при нагріванні деформованих зразків характеризується аномальною S-подібною формою. По положенню таких S-аномалій при різних швидкостях нагрівання, методом Кіссінджера визначено енергію активації Еа процесу, що відповідає за аномалію. Форма залежності р(T) та величина Еа дають підставу віднести такі особливості поведінки р деформованих зразків до існування в дослідженому ВЕСі "К-стану", що проявляється в деяких деформованих сплавах на основі перехідних металів. Обговорено можливі термодинамічні причини виникнення цього стану. Перейти к внешнему ресурсу: \\New\textlok\Укр_фізич_журн_2017_5\7.pdf Дод.точки доступу: Ostapenko, R. V.; Semen'ko, M. P. |
Vishwakarma, R. Thickness-dependent structural, electrical, and optical properties of ZnS thin films deposited by thermal evaporation / R.Vishwakarma // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 5. - P. 419-428 : рис. 8. - Бібліогр.: с. 427-428 (35 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Будова матерії Строение материи Кл.слова (ненормовані): ZnS films -- Zns плівки -- grain size -- розмір зерна -- размер зерна -- dislocation density -- густина дислокації -- плотность дислокации -- electrical resistivity -- електричний опір -- электрическое сопротивление -- band gap -- заборонена зона -- запретная зона -- activation energy -- енергія активації -- энергия активации -- electron mobility -- рухливість електронів -- подвижность электронов -- тонкие пленки -- тонкі плівки -- метод термічного випаровування -- метод термического испарения Анотація: Тонкі плівки ZnS осаджені методом термічного випаровування при кімнатній температурі на скляну підкладку, очищену ультразвуком. Товщина плівок змінювалася від 400 до 1300 нм. Структуру плівок досліджено за допомогою рентгеноструктурного аналізу, растової електронної мікроскопії (SEM) і рентгенівського дисперсійного аналізу. Електричні і оптичні властивості вимірювалися двоточечним зондом на постійному струмі, за ефектом Холла і за спектрами поглинання у видимому і ультрафіолетовому світлі. Рентгенівські спектри показали, що плівки полікристалічні і мають кубічну структуру з переважаючою (111) орієнтацією. Дифракційні картини стають різкішими з ростом товщини плівок. За даними SEM розмір нанозерен плівок близько 97,89 нм. Зменшення опору свідчить про напівпровідникову природу плівок. У плівок з товщиною понад 1200 нм максимальна рухливість дорівнює 26,3•10[[p]]1[[/p]] см[[p]]2[[/p]]/B•c, мінімальний опір 0,08•10[[p]]6[[/p]] (Ом•см) і ширина забороненої зони 3,26 еВ. З урахуванням цих властивостей знайдено оптимальну товщину плівок. Перейти к внешнему ресурсу: \\New\textlok\Укр_фізич_журн_2017_5\8.pdf |