Ковальчук, В. (доктор фізико-математичних наук; Військова академія; м. Одеса). Твердотільні датчики на основі гетеропереходів з нанокластерною підсистемою / В. Ковальчук // Метрологія та прилади : науково-виробничий журнал. - 2012. - № 6. - С. 62-64. - Бібліогр. в кінці ст. 7 назв. - 6 рис. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Измерительные преобразователи Кл.слова (ненормовані): вимірювальні перетворювачі -- измерительные преобразователи -- нанометрологія -- нанометрология -- інформаційно-вимірювальні системи -- информационно-измерительные системы -- фоточутливість датчиків -- фотовосприимчивость датчиков Анотація: Розглянуто конструктивні особливості твердотільного датчика на основі гетеропереходу, що має нанокластерну підсистему. |
Савкіна, Р. К. Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавітаційної обробки в рідкому азоті / Р. К. Савкіна, О. Б. Смірнов // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2015. - № 7. - С. 70-78 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Фізика Загальні питання фізики Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормовані): ультразвукова кавітація -- оптоелектроніка -- напівпровідники -- кріогенна рідина -- кавітаційні порожнини -- фоточутливість -- кремній -- акустична кавітація -- ультразвуковая кавитация -- оптоэлектроника -- полупроводники -- криогенная жидкость -- кавитационные полости -- фоточувствительность -- кремний -- акустическая кавитация Анотація: Наведено результати комплексних досліджень наноструктурування базових напівпровідників оптоелектроніки Si i GaAs, підданих дії УЗ кавітації в рідкому азоті. Встановлено, що обробка напівпровідникових кристалів GaAs та Si ультразвуком (1-6 МГц, 15 Вт/см[[p]]2[[/p]]), енергія якого концентрується в кавітаційних порожнинах кріогенної рідини, призводить до наноструктурування їх поверхні та розширення діапазону фоточутливості. Дод.точки доступу: Смірнов, О. Б. |