Комплексна адсорбційно-ультразвукова технологія водоочищення / М. С. Мальований [та ін.] ; рец. В. В. Дячок // Хімічна промисловість України : науково-виробничий журнал. - 2012. - № 6. - С. 49-52. - Бібліогр. в кінці ст. 14 назв. - табл., 4 рис. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Вода, очищення Кл.слова (ненормовані): очистка воды -- очищення води -- технологии очистки воды -- технології очищення води -- водоочистка -- водоочищення -- адсорбційно-ультразвуковий метод -- адсорбционно-ультразвуковой метод -- бактериологическая загрязненность -- бактеріологічна забрудненість -- ультразвукова кавітація -- УЗК -- ультразвуковая кавитация -- якість води -- качество воды -- забруднення води -- загрязнение воды -- експерименти -- эксперименты Анотація: Технологія очищення води адсорбційно-ультразвуковим методом дозволяє зменшити бактеріологічну забрудненість, очистити воду від органічних забруднень та підвищити якість води. Утримувачі документа: Наукова бібліотека УІПА Дод.точки доступу: Мальований, М. С. (доктор технічних наук; Національний університет "Львівська політехніка"); Старчевський, В. Л. (доктор технічних наук; Національний університет "Львівська політехніка"); Вронська, Н. Ю. (Національний університет "Львівська політехніка"); Шевчук, Л. І. (кандидат технічних наук; Національний університет "Львівська політехніка"); Сакалова, Г. В. (кандидит технічних наук; Вінницький державний педагогічний університет); Дячок, В. В. (доктор технічних наук; професор кафедри Національного університету "Львівська політехніка") \рец.\ |
Савкіна, Р. К. Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавітаційної обробки в рідкому азоті / Р. К. Савкіна, О. Б. Смірнов // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2015. - № 7. - С. 70-78 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Фізика Загальні питання фізики Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормовані): ультразвукова кавітація -- оптоелектроніка -- напівпровідники -- кріогенна рідина -- кавітаційні порожнини -- фоточутливість -- кремній -- акустична кавітація -- ультразвуковая кавитация -- оптоэлектроника -- полупроводники -- криогенная жидкость -- кавитационные полости -- фоточувствительность -- кремний -- акустическая кавитация Анотація: Наведено результати комплексних досліджень наноструктурування базових напівпровідників оптоелектроніки Si i GaAs, підданих дії УЗ кавітації в рідкому азоті. Встановлено, що обробка напівпровідникових кристалів GaAs та Si ультразвуком (1-6 МГц, 15 Вт/см[[p]]2[[/p]]), енергія якого концентрується в кавітаційних порожнинах кріогенної рідини, призводить до наноструктурування їх поверхні та розширення діапазону фоточутливості. Дод.точки доступу: Смірнов, О. Б. |