Діелектричні та електропровідні властивості сполук типу A[[p]]II[[/p]]Ln[[d]]n[[/d]]B[[p]]III[[/p]][[d]]n[[/d]]O[[d]]3n+1[[/d]] (A[[p]]II[[/p]] = Sr, Ba, Ln = La, Eu, B[[p]]III[[/p]] = Sc, In, n = 1, 2) з шаруватою структурою [Текст] / Ю. О. Тітов [и др.]> // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2017. - № 1. - С. 74-81 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Фізика Фізика напівпровідників і діелектриків Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормовані): імпедансна спектроскопія -- температурні залежності -- частотні залежності -- електропровідність -- діелектрична проникність -- шарувата перовськітоподібна структура -- кристалографічні дані -- холодне пресування -- импедансная спектроскопия -- температурные зависимости -- частотные зависимости -- электропроводность -- диэлектрическая проницаемость -- слоистая перовскитоподобная структура -- кристаллографические данные -- холодное прессование Анотація: Методом імпедансної спектроскопії досліджено температурні та частотні залежності електропровідності і діелектричної проникності кераміки сполук типу AIILnnBIIInO3n+1 (AII = Sr, Ba, Ln = La, Eu, BIII = Sc, In, n = 1, 2) з шаруватою перовськітоподібною структурою (ШПС). Встановлено наявність аномальних відхилень на кривих цих залежностей для індатів BaLaInO4, SrLaInO4 та скандату SrEuScO4 в температурних інтервалах 638—738 К, 500—700 К, 725—800 К відповідно, обумовлених, очевидно, структурними змінами в їх одношаровій ШПС. Дод.точки доступу: Тітов, Ю. О.; Слободяник, М. С. ; Кузьмін, Р. М. ; Краєвська, Я. А. ; Чумак, В. В. Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене) |
Alizadeh, M. The spectra of x-ray and photoluminescence of high-resistance crystals of ZnSe / M. Alizadeh, V. Ya. Degoda> // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 6. - P. 556-561 : рис. 4. - Бібліогр.: с. 560-561 (15 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Фізика конденсованого стану Физика конденсированного состояния Кл.слова (ненормовані): spectra of X-ray luminescence -- спектри рентгенівської люмінесценції -- спектры рентгеновской люминесценции -- spectra of photoluminescence -- спектри фотолюмінесценції -- спектры фотолюминесценции -- center of recombination -- центр рекомбінації -- центр рекомбинации -- температурні залежності -- спектральне положення максимуму -- температурные зависимости -- zinc selenide -- селенід цинку -- селенид цинка -- спектральные оложения максимума Анотація: Спектри люмінесценції високоомних кристалів ZnSe складаються з двох основних смуг з максимумами при 630 нм (1,92 еВ) і 970 нм (1,28 еВ). Проведено порівняння спектрів рентгенолюмінесценції і фотолюмінесценції ZnSe між собою в спектральній області від 400 до 1200 нм при різних інтенсивностях збудження і при різних температурах (8,85 295 і 420 К). Встановлено, що форми смуг свічення не залежать від інтенсивностей збудження. Форма смуги з максимумом при 970 нм також не залежить від типу збудження, а смуга 630 нм - трохи відразняється при рентгенівському і УФ-зубдженні. Проаналізовано температурні спектральні положення максимумів смуг і їх півширини. Зроблено висновок про елементарності смуги світіння 970 нм. Короткохвильове зміщення спектрального максимуму смуги 630 нм при збільшенні температури дозволяє зробити висновок про неелементарність цієї смуги світіння. Це корелює з раніше виявленою особливістю цієї смуги про реалізацію двох механізмів рекомбінації (електронному та дірковому) на цьому центрі світіння. Дод.точки доступу: Degoda, V. Ya. |