Определение информационных признаков в спектрах отражения и индуцированной лазером флуоресценции растительного покрова для аэрокосмического зондирования земной поверхности / В. Г. Якимчук [и др.] // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 1. - С. 132-136. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ . - ISSN 1025-6415
УДК
ББК 26.324
Рубрики: Геология
   Геологическая разведка

   Геологія

   Геологічна розвітка

Кл.слова (ненормовані):
геологическая разведка -- геологічна розвідка -- земная поверхность -- земна поверхня -- растительный покров -- рослинний покрив -- листья березы -- листя берези -- аэрокосмическое зондирование -- аерокосмічне зондування -- спектры отражения -- спектри відбиття -- информационные признаки -- інформаційні ознаки -- нефтегазоносные участки -- нафтогазоносні ділянки
Анотація: По наземными измерениями спектров отражения и флуоресценции листьев березы были определены спектральные информативные признаки разделения классов нефтегазоносных участков и территорий, на которых отсутствуют месторождения.


Дод.точки доступу:
Якимчук, В. Г.; Левчик, Е. И.; Суханов, К. Ю.; Порушкевич, А. Ю.; Федоровский, А. Д. (член-корреспондент НАН Украины)




    Генцарь, П. О.
    Лазерно-стимульоване збільшення відбиваючої здатності монокристалічного n-GaAs(100) / П. О. Генцарь // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 11. - С. 947-950 : рис. 1. - Бібліогр.: с. 949 (7 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК
Рубрики: Фізика
   Физика

   Напівпровідники

   Полупроводники

Кл.слова (ненормовані):
n-GaAs(100) -- лазерне опромінення -- лазерное облучение -- спектри відбиття -- спектры отражения -- показники заломлення -- показатели преломления -- приповерхневий шар -- приповерхностный слой
Анотація: Представлені результати оптичних досліджень спектрів відбиття монокристалів n-GaAs(100) з питомим опором 10 ОМ•см (при кімнатній температурі в діапазоні 0,2-1,7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66-108 мДж/см[[p]]2[[/p]]. Експериментально показано збільшення відбиваючої здатності досліджуваних кристалів при даній лазерній обробці. Даний інтегральний ефект пояснено відмінностями оптичних характеристик приповерхневого шару та об'єму матеріалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару n[[d]]s[[/d]] = n[[d]]s[[/d]] + ix[[d]]s[[/d]] відрізняється від комплексного показника заломлення матеріалу n[[d]]v[[/d]] = n[[d]]v[[/d]] + ix[[d]]v[[/d]]).

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_11\4.pdf

Дод.точки доступу:
Власенко, О. І.; Левицький, С. М.