Зубкова, С. М. Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А[[p]]2[[/p]]В[[p]]6[[/p]] / С. М. Зубкова , Л. Н. Русина // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 1. - С. 72-80 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Фізика Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому Кл.слова (ненормовані): кристаллы -- кристали -- полярная поверхность -- полярна поверхня -- распределение зарядовой плотности -- розподіл зарядовим щільності -- свойства поверхностей -- властивості поверхонь -- плотность электронных состояний -- щільність електронних станів -- валентные электроны -- валентні електрони -- слоистые сверхрешетки -- шаруваті надгратки Анотація: Для полярной поверхности (111) в кристаллах типа А[[p]]2[[/p]]В[[p]]6[[/p]] со структурой сфалерита ZnTe, ZnS, CdTe исследованы зонная структура, локальная плотность электронных состояний (полная и послойная), а также распределение зарядовой плотности валентных электронов (3D-графики и контурные карты). Отдельно рассмотрены свойства поверхностей, заканчивающихся анионом и катионом. Численный расчет проведен самосогласованным “трехмерным” методом псевдопотенциала в рамках модели слоистой сверхрешетки. Перейти к внешнему ресурсу: \\tower-2008\textlok\Адвокат\\Доповіді НАН Укр_2014_1\12.pdf Утримувачі документа: НТБ НТУ "ХПІ" Дод.точки доступу: Русина, Л. Н. |