Properties of graphene flakes obtained by treating graphite with ultrasound / V. O. Yukhymchuk [et al.] // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 5. - P429-437 : рис. 6, табл. 1. - Бібліогр.: с. 435-436 (33 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Физическая оптика Фізична оптика Кл.слова (ненормовані): graphene -- графен -- Raman spectroscopy -- раманівська спектроскопія -- ultrasound treatment -- ультразвукова обробка -- vacancy and edge defects -- вакансійні та крайові дефекти -- scanning electron microscopy -- скануюча електронна мікроскопія Анотація: Продемонстрована можливість отримання графену та шарів на його основі за допомогою ультразвукової (УЗ) обробки піролітичного графіту в розчині N-метіл піролідону (NMP). Підтверджено, що ефективним методом діагностики процесу трансформації графіту в графен є раманівська спектроскопія. Варіюванням часу УЗ обробки піролітичного графіту в розчині NMP встановлені оптимальні режими отримання графенових флейків з різною кількістю шарів. Зокрема, показано, що УЗ обробка протягом 5 годин достатня для отримання колоїдного розчину графенових флейків, більшість з яких є одношаровими. Показано, що зі збільшенням часу УЗ обробки зростає інтенсивність раманівських смуг D та D', що свідчить про зростання кількості дефектів в графенових шарах УЗ обробки. Проаналізовано вплив вакансійних та крайових дефектів на величину співвідношення І[[d]]D[[/d]]/I[[d]]D[[/d]] смуг та встановлено, що переважаючим типом дефектів в графенових флейках є вакансії. Перейти к внешнему ресурсу: \\New\textlok\Укр_фізич_журн_2017_5\9.pdf Дод.точки доступу: Yukhymchuk, V. O.; Valakh, M. Ya; Hreshchuk, O. M.; Havrylyuk, Ye. O.; Yanchuk, I. B.; Yefanov, A. V.; Arif, R. N.; Rozhin, A. G.; Skoryk, M. A. |
Sritonwong, P. Structural Properties of lattice-matched InGaPN GaAs (001) / P. Sritonwong // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2018. - Т. 63, № 3. - P. 276-282 : рис. 5, табл. 1. - Бібліогр.: с. 281-282 (22 назви)
Физика Будова матерії Строение материи Кл.слова (ненормовані): InGaPN -- RTA -- ШТВ -- швидкий термічний відпал -- быстрый термический отжиг -- HRXRD -- РДВРЗ -- MOVPE -- метод епітаксії -- металоорганічні з'єднання з газової фази -- метод эпитаксии -- металлоорганические соединения из газовой фазы -- Raman scattering -- Раманівська спектроскопія -- спектроскопія Раманівська -- Рамановская спектроскопия -- спектроскопия Рамановская Анотація: Досліджено властивості структури InGaPN на GaAs (001), узгоджені за параметром гратки, із застосуванням рентгенівської дифракції високої роздільної здатності (РДВРЗ), Раманівської спектроскопії (РС) і автономної силової мікроскопії (АСМ). Шари InGaPN були вирощені методом епітаксії металоорганічних з'єднань з газової фази. При отримані InGaPN, узгодженго за параметром гратки, на GaAs швидкості потоків тріметіліндія і тріметілгалія були, відповідно, 14,7 та 8,6 мкмоль/хв. Зміст N було оптимізовано при швидкості потоку диметилгидразина (попередник N), що дорівнює 300 мкмоль/хв. Комбінуючи РДВРЗ і РС вимірювання, зміст In i N оцінено як 55,8 і 0,9 ат.%, відповідно. Для всіх шарів, неузгодженість гратки була менше 0,47%. Для поліпшення якості гратки InGaPN шарів, застосований швидкий термічний відпал (ШТВ) при температурі 650% [[p]]о[[/p]]С, оптимальної для зростання GaAs буферного шару. Час відпалу змінювався від 30 до 180 с для досягнення однорідності складу. Збільшення часу відпалу до 120 с призвело до незначного зростання змісту In і N. При цьому АСМ показала, що середньоквадратична шорсткість InGaPN поверхні зменшилася. При збільшенні часу відпалу різко падає вміст N без змін у вмісті In. Середньоквадратична шорсткість також зростає. ШТВ при 650 [[p]]о[[/p]]С протягом 120 с значно поліпшив властивості структури шарів InGaPN (001), узгоджених за параметром гратки. Дод.точки доступу: Sanorpim, S.; Onabe, K. Є примірники у відділах: всього 1 : ЧЗНЛ (1) Вільні: ЧЗНЛ (1) |