Генцарь, П. О. Лазерно-стимульоване збільшення відбиваючої здатності монокристалічного n-GaAs(100) / П. О. Генцарь // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 11. - С. 947-950 : рис. 1. - Бібліогр.: с. 949 (7 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Напівпровідники Полупроводники Кл.слова (ненормовані): n-GaAs(100) -- лазерне опромінення -- лазерное облучение -- спектри відбиття -- спектры отражения -- показники заломлення -- показатели преломления -- приповерхневий шар -- приповерхностный слой Анотація: Представлені результати оптичних досліджень спектрів відбиття монокристалів n-GaAs(100) з питомим опором 10 ОМ•см (при кімнатній температурі в діапазоні 0,2-1,7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66-108 мДж/см[[p]]2[[/p]]. Експериментально показано збільшення відбиваючої здатності досліджуваних кристалів при даній лазерній обробці. Даний інтегральний ефект пояснено відмінностями оптичних характеристик приповерхневого шару та об'єму матеріалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару n[[d]]s[[/d]] = n[[d]]s[[/d]] + ix[[d]]s[[/d]] відрізняється від комплексного показника заломлення матеріалу n[[d]]v[[/d]] = n[[d]]v[[/d]] + ix[[d]]v[[/d]]). Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_11\4.pdf Дод.точки доступу: Власенко, О. І.; Левицький, С. М. |