Гайдар, Г. П. Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал . - 2017. - № 5. - С. 45-50 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Енергетика Напівпровідникові матеріали та вироби Кл.слова (ненормовані): кремній -- кремний -- германій -- германий -- концентрація домішок -- концентрация примесей -- параметри анізотропії термо-ЕРС -- параметры анизотропии термо-ЭДС -- кристали -- кристаллы -- електрони -- электроны -- напівпровідникові матеріали -- полупроводниковые материалы Анотація: При Т = 85 K на кристалах n-Ge та n-Si досліджено концентраційні залежності параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами у M=?[[p]]?[[/p]]||/?[[p]]?[[/p]]? у широкому інтервалі концентрацій (1,9 · 10[[p]]12[[/p]] n[[d]]е[[/d]] ? N[[d]]I[[/d]] 4,6 · 10[[p]]17[[/p]] см[[p]]–3[[/p]]). Показано, що в n-Ge (на відміну від n-Si) параметр М є малочутливим до наявності домішок у кристалах аж до концентрацій ~10[[p]]15[[/p]] см[[p]]–3[[/p]]. Дод.точки доступу: Баранський, П. І. |