Баранський, П. I. Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках / П. I. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 10. - С. 64-69 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Енергетика Напівпровідникові матеріали та вироби Кл.слова (ненормовані): фізика -- физика -- багатодолинні напівпровідники -- многодолинные полупроводники -- напівпровідникові матеріали -- полупроводниковые материалы -- напівпровідникові вироби -- полупроводниковые изделия -- анізотропія -- анизотропия -- фонони -- фононы -- багатодолинні кристали -- многодолинные кристаллы Анотація: Розглянуто один із способів визначення параметра анізотропії термоерс захоплення електронів фононами у багатодолинних кристалах. Утримувачі документа: НТБ НТУ "ХПІ" Дод.точки доступу: Гайдар, Г. П. |
Наногибридные электролюминесцентные гетероструктуры на основе поли(диктилфлуорена) и градиентных квантовых точек CdZnSeS / В. П. Семиноженко [и др.] // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 1. - С. 89-95 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Фізика Фізика напівпровідників і діелектриків Кл.слова (ненормовані): материаловедение -- матеріалознавство -- электролюминесцентные гетероструктуры -- електролюмінесцентні гетероструктури -- полидиктилфлуорены -- полідіктілфлуорени -- градиентные квантовые точки -- градієнтні квантові точки -- полупроводники -- напівпровідники -- диэлектрики -- діелектрики -- OLED-структуры -- OLED-структури -- электролюминесцентные излучатели -- електролюмінесцентні випромінювачі Анотація: Определены условия образования наногибридной планарной гетероструктуры со слоем полимерного полупроводника и сверхтонким слоем квантовых точек с функцией эффективного электролюминесцентного излучателя в OLED-структурах. Утримувачі документа: НТБ НТУ "ХПИ" Дод.точки доступу: Семиноженко, В. П. (академик НАН Украины); Матвиенко, О. О.; Крыжановская, А. С.; Саввин, Ю. Н.; Погорелова, Н. В.; Ващенко, В. В.; Толмачев, О. В. (член-корреспондент НАН Украины) |
Васильев, Игорь. Мощные высоковольтные полупроводники от IXYS в SMD-корпусах / И. Васильев // Радиоаматор. - 2013. - № 6. - С. 27 : ил. - (Электронные компоненты). - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ
Електроніка Кл.слова (ненормовані): высоковольтные полупроводники -- високовольтні напівпровідники -- силовые полупроводники -- силові напівпровідники Анотація: О запуске полупроводников в силовых полупроводниковых приборах с более высоким напряжением для энергоэффективных продуктов в корпусах с более высоким током утечки. Утримувачі документа: КРУ "Универсальная научная библиотека им. И. Я. Франко" : 95017 |
Гайдар, Г. П. Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n-Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації [Текст] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2015. - № 6. - С. 68-73 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Фізика Напівпровідникові матеріали та вироби Физика Полупроводниковые материалы и изделия Анотація: На зразках n-Ge одержано експериментальний доказ того, що в умовах сильної направленої пружної деформації відбувається лише відносне зміщення ізоенергетичних еліпсоїдів у шкалі енергій, однак форма еліпсоїдів залишається при цьому незмінною. Утримувачі документа: НТБ НТУ "ХПІ" Дод.точки доступу: Баранський, П. І. |
Савкіна, Р. К. Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавітаційної обробки в рідкому азоті / Р. К. Савкіна, О. Б. Смірнов // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2015. - № 7. - С. 70-78 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Фізика Загальні питання фізики Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормовані): ультразвукова кавітація -- оптоелектроніка -- напівпровідники -- кріогенна рідина -- кавітаційні порожнини -- фоточутливість -- кремній -- акустична кавітація -- ультразвуковая кавитация -- оптоэлектроника -- полупроводники -- криогенная жидкость -- кавитационные полости -- фоточувствительность -- кремний -- акустическая кавитация Анотація: Наведено результати комплексних досліджень наноструктурування базових напівпровідників оптоелектроніки Si i GaAs, підданих дії УЗ кавітації в рідкому азоті. Встановлено, що обробка напівпровідникових кристалів GaAs та Si ультразвуком (1-6 МГц, 15 Вт/см[[p]]2[[/p]]), енергія якого концентрується в кавітаційних порожнинах кріогенної рідини, призводить до наноструктурування їх поверхні та розширення діапазону фоточутливості. Дод.точки доступу: Смірнов, О. Б. |
Tonkoshkur, A. S. Size effects in electrical properties of carbon-polypropylene composites [Text] / A. S. Tonkoshkur, A. Yu. Lyashkov, A. V. Degtyaryov // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 11. - С. 1013-1021 : рис. 7. - Бібліогр.: с. 1019-1020 (50 назв)
Физика Провідники і напівпровідники з вигляду матеріалу Проводники и полупроводники по виду материала Кл.слова (ненормовані): composite -- carbon filler -- conductivity -- dielectric permittivity -- interphase layer -- композит -- діелектричні спектри композитів -- композити на основі поліпропілену -- вуглецевий наповнювач -- провідність -- діелектрична проникність -- міжфазний шар -- діелектрічні спектри композітів -- композити на основе поліпропілену Анотація: Наведено температурні залежності опору, вольт-амперні характеристики й діелектричні спектри композитів на основі поліпропілену й наповнювачів з мікро- і нанорозмірних вуглецевих частинок. Зменшення середнього розміру частинок провідникового наповнювача при інших однакових умовах приводить до зменшення абсолютних значень питомого електричного опору; зсуву позисторної ділянки вольтамперної характеристики убік меншої напруженості електричного поля й більших струмів і зростання низькочастотної діелектричної проникності досліджених композитів. Показано, що однією з інтерпретацій прояву такого "розмірного" ефекту можуть бути уявлення про збільшення ефективної об'ємної долі провіднкового наповнювача внаслідок існування в поліпропіленовій матриці міжфазного прикордонного шару з відмінними від об'ємного поліпропілену електричними властивостями, у якому можливе переміщення носіїв заряду. Тобто зміни розміру частинок вуглецю ведуть до зміни питомої поверхні та ефективної долі провідникового наповнювача. Дод.точки доступу: Lyashkov, A. Yu.; Degtyaryov, A. V. Є примірники у відділах: ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний) |
Semiempirical energies of vacancy formation in semiconductors [Text] / I. V. Horichok, H. Ya. Hurhula // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 11. - С. 997-1012 : табл. 7. - Бібліогр.: с. 1010-1012 (75 назв)
Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому Кл.слова (ненормовані): semiconductors -- point defects -- defect formation energy -- Huckel method -- напівпровідники -- точкові дефекти -- енергія появи дефектів -- метод Хюккеля -- Хюккеля метод Анотація: Використовуючи розширений метод Хюккеля, а також методи, що базуються на використанні термохімічних, термодинамічних та електрофізичних даних, визначено енергії утворення вакансій металу та халькогену у напівпровідникових кристалах А[[p]]ІІ[[/p]]В[[p]]VI[[/p]], А[[p]]III[[/p]]В[[p]]V[[/p]] та А[[p]]IV[[/p]]В[[p]]VI[[/p]]. Встановлена кореляція отриманих значень як між собою, так і з літературними експериментальними та теоретичними ab initio даними, що свідчать про їх адекватність і можливість використання для оцінки концентрацій цих дефектів у напівпровідниках. Дод.точки доступу: Horichok, I. V.; Hurhula, H. Ya.; Prokopiv, V. V.; Pylyponiuk, M. A. Є примірники у відділах: ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний) |
Кулышев, А. М. Влияние состояния поверхности полупроводников на работу фотодетекторов [Текст] / А. М. Кулышев, И. Д. Черникова, Н. Г. Черников // Вісник Східноукраїнського національного університету ім. Володимира Даля. - 2016. - № 2. - С. 112-123 : рис. - Библиогр. в конце ст.
Фотометрия Фотометрія Кл.слова (ненормовані): фотоэмиссия -- фотоемісія -- квантовый выход -- квантовий вихід -- распределение электронов по энергиям -- розподіл електронів по енергіях -- спектральный анализ -- спектральний аналіз -- работа выхода -- робота виходу -- загиб зон -- загин зон -- полупроводники -- напівпровідники -- полупроводниковые фотодетекторы -- напівпровідникові фотодетектори Дод.точки доступу: Черникова, И. Д.; Черников, Н. Г. Є примірники у відділах: всього 1 : ЧЗНЛ (1) Вільні: ЧЗНЛ (1) |
Flexoelectric effect impact on the hysteretic dynamics of the local electromechanical response of mixed ionic-electronic conductors / A. N. Morozovska // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 4. - Р. 326-334 : рис. 4. - Бібліогр.: с. 333-334 (43 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Будова матерії Строение материи Кл.слова (ненормовані): flexoelectric effect -- mixed ionic-electronic moderate conductors -- thin films -- nanoparticles -- electrochemical strain microscopy -- флексоелектричний ефект -- флексоэлектрический эффект -- напівпровідники з іонно-електронною провідністю -- наполупроводники с ионно-электронной проводимостью -- тонкі плівки -- тонкие пленки -- наночастинки -- наночастички -- електромеханічна деформаційна мікроскопія -- электромеханическая деформационная микроскопия Анотація: Сильний зв'язок між електрохімічними потенціалами, концентрацією електронів, іонів і деформацій, зпричинених флексоефектом є поширеною ознакою напівпровідників з іонно-електронною провідністю - матеріалів, які вибирають для пристроїв, починаючи від елементів опору та пам'яті і до іонних батарей і паливних елементів. В статті аналізуються відповідні механізми, які регулюють зміни концентрата зміщення (розширення Вегадра, деформаційний потенціал і флексоефект). Цікаво, що внесок флексоелектричного зв'язку в локальне зміщення поверхні напівпровідників є складним і динамічним ефектом, який може призвести до різкої зміни механічного відгуку, залежно від значень флексоелектричних коефіцієнтів і інших зовнішніх умов. Чисельне моделювання показало, що вплив флексоелектричного ефекту на механічний відгук може змінюватися від простого, до появи додаткової деформації, що призводить до порівняно невеликої зміни форми петлі гістерезису і зміни орієнтації, і до появи складних скручених петель гістерезису. Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_4\7.pdf Дод.точки доступу: Morozovska, A. N.; Glinchuk, M. D.; Varenyk, O. V.; Udod, A.; Scherbakov, C. M.; Kalinin, S. V. |
Бойчук, В. І. Мінізонна електропровідність у надгратках сферичних квантових точок гетеросистеми InAs/GaAs / В. І. Бойчук // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 4. - С. 335-342 : рис. 5. - Бібліогр.: с. 340-342 (36 назв) . - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Напівпровідники Полупроводники Кл.слова (ненормовані): квантові точки -- надгратки -- електронні стани -- мінізона -- електрична провідність -- квантовые точки -- сверхрешетки -- электронные состояния -- минизоны -- электрическая проводимость Анотація: Досліджуються електричні властивості напівпровідникових наногетеросистем InAs/GaAs з 2D-надгратками сферичних квантових точок. Отримані залежності групової швидкості електронів від хвильового вектора та номера мінізони. Встановлено залежність рівня Фермі системи електронів в мінізонах від концентрації донорних домішок, енергії їх залягання та температури. Досліджено температурну залежність концентрації основних носіїв та електропровідності для різних значень концентрації та енергії залягання донорів. Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_4\8.pdf Дод.точки доступу: Білинський, І. В.; Пазюк, Р. І. |
Генцарь, П. О. Лазерно-стимульоване збільшення відбиваючої здатності монокристалічного n-GaAs(100) / П. О. Генцарь // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 11. - С. 947-950 : рис. 1. - Бібліогр.: с. 949 (7 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Напівпровідники Полупроводники Кл.слова (ненормовані): n-GaAs(100) -- лазерне опромінення -- лазерное облучение -- спектри відбиття -- спектры отражения -- показники заломлення -- показатели преломления -- приповерхневий шар -- приповерхностный слой Анотація: Представлені результати оптичних досліджень спектрів відбиття монокристалів n-GaAs(100) з питомим опором 10 ОМ•см (при кімнатній температурі в діапазоні 0,2-1,7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66-108 мДж/см[[p]]2[[/p]]. Експериментально показано збільшення відбиваючої здатності досліджуваних кристалів при даній лазерній обробці. Даний інтегральний ефект пояснено відмінностями оптичних характеристик приповерхневого шару та об'єму матеріалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару n[[d]]s[[/d]] = n[[d]]s[[/d]] + ix[[d]]s[[/d]] відрізняється від комплексного показника заломлення матеріалу n[[d]]v[[/d]] = n[[d]]v[[/d]] + ix[[d]]v[[/d]]). Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_11\4.pdf Дод.точки доступу: Власенко, О. І.; Левицький, С. М. |
Стахіра, Й. М. Структурні зміни у системі електронних станів шаруватого кристала, деформованого зсувом шарів / Й. М. Стахіра, Р. Й. Стахіра // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 12. - С. 1016-1022 : рис. 1. - Бібліогр.: с. 1021 (10 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Напівпровідники Полупроводники Кл.слова (ненормовані): п'єзофотопровідність -- пьезофотопроводимость -- шаруваті кристали -- слоистые кристаллы -- деформація зсуву -- деформация сдвига -- зміна періодичності -- смена периодичности -- зміщення шарів -- смещение слоев Анотація: Проаналізовано зміни структури електронних станів шаруватих кристалів, які зумовлені деформацією кристала, що приводить до відносного зсуву шарів. Показано, що така деформація силою, яка має гармонічну складову низької частоти, приводить до дискретної зміни періоду гратки і часткового зняття виродження енергій електронних станів. Просторово-часове деформаційне збурення приводить до зняття виродження енергій, хвильові вектори яких мають компоненту, нормальну до площини шарів і рівну компоненті періоду оберненої гратки деформованого кристала у цьому напрямку, і розриву функціональної залежності енергії від такої компоненти. У межах окремого періоду зняття виродження енергії відбувається в різні ексклюзивні моменти часу, в які період гратки у напряму зсуву є кратним величинам зсуву. Енергії цього інтервалу можуть бути ідентифіковані радіотехнічними методами за моментами часу різкої зміни густини електронних станів. Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_12\2.pdf Дод.точки доступу: Стахіра, Р. Й. |
Tursunov, I. G. Investigations of the deep-level parameters in semiconductors / I. G. Tursunov // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 12. - С. 1034-1036. - Бібліогр.: с. 1036 (6 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Будова матерії Строение материи Кл.слова (ненормовані): deformation -- методи деформації -- методы деформации -- impurities -- домішки -- примеси -- strain resistance -- стійкість до опору -- сопротивление деформации -- hydrostatic pressure -- гідростатичний тиск -- гидростатическое давление -- параметры глубокого уровня -- параметри глибокого рівня -- компенсовані напівпровідники -- компенсованніе полупроводники -- надкомпенсовані напівпровідники -- надкомпенсованные полупроводники Анотація: Пропонуються методи деформації для дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках. Він базується на вимірах параметрів деформації компенсованих і надкомпенсованих напівпровідників. Досліджено динамічні зміни струму в компенсованих та надкомпенсованих зразках р-типу Si : Ni та n-типу Si : Mn при однорідному імпульсному гідростатичному стискуванні (ОГС). Встановлено, що р-типу Si : Ni зразках енергія іонізації Ni при ОГС збільшується. Навпаки, вона зменшується в зразках n-типу Si : Mn. Енергія іонізації та баричний коефіцієнт зсуву рівнів Ni і Mn були обмеженими Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_12\4.pdf |
Беспалова, Наталья. Фуллерены на Земле и в Космосе [Текст] / Н. Беспалова // Наука и техника : журнал для перспективной молодежи. - 2018. - № 3. - С. 4-6. : ил. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Вселенная Фізична природа матерії Физическая природа материи Кл.слова (ненормовані): міжзоряна речовина -- межзвездное вещество -- межзвездное пространство -- міжзоряний простір -- космическая пыль -- космічний пил -- фуллерены -- фуллерени -- атомы углерода -- атоми вуглецю -- неорганические молекулы -- оксиды -- оксиди -- соединения водорода -- з'єднання водню -- соли -- солі -- фуллерен С60 -- фуллерен С70 -- углеродные соединения -- вуглецеві сполуки -- полупроводники -- напівпровідники Анотація: Розглянуто хімічний склад міжзіркового простору. Зокрема, приділено увагу складним вуглецевим сполукам, які отримали назву фуллерени. Утримувачі документа: Сумська міська центральна бібліотека ім. Т. Шевченка Дод.точки доступу: Фуллер, Ричард Бакминстер (известный инженер и архитектор) \о нем\; Фуллер, Річард Бакмінстер (відомий інженер та архітектор) \о нем\; Гартман, Йоханнес Франц (немецкий астроном) \о нем\; Гартман, Йоханнес Франц (німецький астроном) \о нем\ |
Zharkikh, Yu. S. Conception of the Kelvin method on the basis of a mechanic-electrical transformation / Yu. S. Zharkikh, S. V. Lysochenko // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2018. - Т. 63, № 3. - P. 269-275 : рис. 4. - Бібліогр.: с. 274-275 (26 назв)
Физика Полупроводники Напівпровідники Кл.слова (ненормовані): nondestructive testing -- неруйнівний контроль -- неразрушающий контроль -- Kelvin method -- метод Кельвіна -- Кельвіна метод -- метод Кельвина -- Кельвина метод -- contact potential difference -- контактна різниця потенціалів -- контактная разница потенциалов -- surface charge measurements -- вимірювання поверхневого заряду -- измерения поверхностного заряда -- механіко-електричні перетворення -- механико-электрические преобразования Анотація: Застосування методу Кельвіна грунтується на концепції перезарядки динамічного конденсатора під дією прикладеної контактної різниці потенціалів. В даній роботі звертається увага на те, що контактна різниця потенціалів не є таким самим фізичним чинником, як і різниця потенціалів, що виникає під дією електрорушійної сили. Вона не може діяти як звичайна електрична напруга і, відповідно, викликати електричний струм перезарядки конденсатора. Реальною причиною появи вимірюваного сигналу є перетворення механічної енергії руху електрода в енергію електричного струму. Струм у динамічному конденсаторі виникає внаслідок періодичних змін умов екранування електростатичних зарядів, що розташовані над досліджуваною поверхнею. Проведені експериментальні дослідження вимірюваного сигналу методом Кельвіна в залежності від кількості заряду на поверхні зразка показали, що інтерпретація результатів вимірювань можлива без застосування поняття роботи виходу з твердого тіла. З цієї причини метод Кельвіна успішно використовується у дослідженнях матеріалів, до яких поняття роботи виходу не може бути застосовано взагалі: органічні та біологічні матеріали, а також електроліти. Запропонований механізм виникнення сигналу в методі Кельвіна слід враховувати при інтерпретації результатів досліджень як макроскопічних розподілів поверхневого заряду, так і в атомній силовій мікроскопії. Дод.точки доступу: Lysochenko, S. V. Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене) |
Бойко, О. Органічні оптичні сенсори фізичних величин / О. Бойко, З. Ю. Готра, А. В. Фечан // Вісник / Львів. політехн. - Львів, 2018. - № 909: Радіоелектроніка та телекомунікації. - С. 42-50 : рис. - Бібліогр. в кінці ст.
Электроника Кл.слова (ненормовані): рідкі кристали -- жидкие кристаллы -- органічні напівпровідники -- органические полупроводники -- оптичні сенсори -- оптические сенсоры Дод.точки доступу: Чухрай, Н. І. \ред.\; Готра, З. Ю.; Фечан, А. В.; Львівська політехніка(Львів) Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене) |
А 20 Москалик, В. М. Графен - матеріал майбутнього / В. М. Москалик // Авіація, промисловість, суспільство : збірник тез доповідей I Всеукраїнської науково-практичної конференції молодих вчених, курсантів та студентів "Авіація, промисловість, суспільство", 27 квітня 2018 р., м. Кременчук / Кременчуцький льотний коледж Нац. авіаційного ун-ту. - Кременчук : ПП Щербатих О. В., 2018. - С. 231-233 . - ISBN 978-617-639-175-3
Полупроводники Кл.слова (ненормовані): вуглецеве з´єднання -- углеродное соединение -- заміна кремнію -- замена кремнию -- властивості графена -- свойства графена -- двовимірна модифікація -- двумерная модификация -- електропровідність -- электропроводность Дод.точки доступу: Кременчуцький льотний коледж Національного авіаційного університету Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене) |
Львівська політехніка (Л.) Бойко, О. В. Органічні оптичні сенсори фізичних величин / О. В. Бойко, З. Ю. Готра, А. В. Фечан // Вісник / Львів. політех. - Львів, 2020. - № 915: Радіоелектроніка та телекомунікації. - С. 56-65 : схем., а-рис. - Бібліогр. в кінці ст.
Электросвязь Кл.слова (ненормовані): рідкі кристали -- жидкие кристаллы -- органічні напівпровідники -- органические полупроводники -- оптичні сенсори -- оптические сенсоры Дод.точки доступу: Готра, З. Ю.; Фечан, А. В.; Львівська політехніка(Л.) Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене) |