Баранський, П. І. Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n-Sі / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 5. - С. 70-75 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Енергетика Напівпровідникові матеріали та вироби Кл.слова (ненормовані): фізика -- физика -- напівпровідникові матеріали -- полупроводниковые материалы -- високотемпературні відпали -- высокотемпературные отпали -- електрони -- электроны -- параметри анізотропій -- параметры анизотропий Анотація: Розглядається вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n-Si. Утримувачі документа: НТБ НТУ "ХПІ" Дод.точки доступу: Гайдар, Г. П. |