Баранський, П. I. Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках / П. I. Баранський, Г. П. Гайдар> // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 10. - С. 64-69 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Енергетика Напівпровідникові матеріали та вироби Кл.слова (ненормовані): фізика -- физика -- багатодолинні напівпровідники -- многодолинные полупроводники -- напівпровідникові матеріали -- полупроводниковые материалы -- напівпровідникові вироби -- полупроводниковые изделия -- анізотропія -- анизотропия -- фонони -- фононы -- багатодолинні кристали -- многодолинные кристаллы Анотація: Розглянуто один із способів визначення параметра анізотропії термоерс захоплення електронів фононами у багатодолинних кристалах. Утримувачі документа: НТБ НТУ "ХПІ" Дод.точки доступу: Гайдар, Г. П. |