Semiempirical energies of vacancy formation in semiconductors [Text] / I. V. Horichok, H. Ya. Hurhula // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 11. - С. 997-1012 : табл. 7. - Бібліогр.: с. 1010-1012 (75 назв)
Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому Кл.слова (ненормовані): semiconductors -- point defects -- defect formation energy -- Huckel method -- напівпровідники -- точкові дефекти -- енергія появи дефектів -- метод Хюккеля -- Хюккеля метод Анотація: Використовуючи розширений метод Хюккеля, а також методи, що базуються на використанні термохімічних, термодинамічних та електрофізичних даних, визначено енергії утворення вакансій металу та халькогену у напівпровідникових кристалах А[[p]]ІІ[[/p]]В[[p]]VI[[/p]], А[[p]]III[[/p]]В[[p]]V[[/p]] та А[[p]]IV[[/p]]В[[p]]VI[[/p]]. Встановлена кореляція отриманих значень як між собою, так і з літературними експериментальними та теоретичними ab initio даними, що свідчать про їх адекватність і можливість використання для оцінки концентрацій цих дефектів у напівпровідниках. Дод.точки доступу: Horichok, I. V.; Hurhula, H. Ya.; Prokopiv, V. V.; Pylyponiuk, M. A. Є примірники у відділах: ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний) |