Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Пошуковий запит: <.>K=транзитний ефект<.>

Загальна кількість знайдених документів : 1

Литовченко, В. Г.
Результат Нобелівського рівня. Академік НАН України Вадим Євгенович Лашкарьов видатний фізик ХХ сторіччя, першовідкривач р-n-переходу (до 55-річчя створення Інституту фізики напівпровідників НАН України) [Текст] / В. Г. Литовченко // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 2. - С. 187-190 : рис. 3, фот. 3. - Бібліогр.: с. 190 (6 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

53(091)

Рубрики: Фізика
   Физика
   Історія фізики
   История физики
   Україна
   Украина
Кл.слова (ненормовані):
українські фізики -- фізика напівпровідників -- фізика поверхні напівпровідників -- вентильний фотоефект -- транзитний ефект -- украинские физики -- физика полупроводников -- физика поверхности полупроводников -- вентильный фотоэффект -- транзитный эффект -- біографії науковців -- биографии ученых -- вчені-фізики -- ученые-физики -- наукова діяльність -- научная деяткльность
Анотація: Присвячена науково-біографічним даним про Вадима Євгеновича Лашкарьова, видатного українського фізика ХХ століття - першовідкривача р-n-переходу, що є результатом Нобелівського рівня. В. Є. Лашкарьов засновник і перший директор Інституту фізики напівпровідників АН України, 55-річчя з дня його затвердження виповнилось 7 жовтня 2015 року. Стаття ініційована Науковою Радою з фізики напівпровідників АН України, першим головою якої був В. Є. Лашкарьов. Основні результати початкового етапу наукової діяльності В. Є. Лашкарьов отримав в галузі досліджень поверхні твердих тіл методом дифракції повільних електронів, а після повернення із заслання - досліджень фотоелектричних властивостей нового на той час класу речовин - напівпровідників і досліджень їх поверхні та об'єму. В. Е. Лашкарьов залишив після себе відому наукову школу з фізики напівпровідників, основу якої складають кадри Інституту фізики напівпровідників НАНУ (Київ) та чисельнні кадри університетів різних міст. Залишив після себе близько 120 публікацій, огляди, монографії.

Дод.точки доступу:
Лашкарьов, Вадим Євгенович (видатний фізик; засновник і перший директор Інституту фізики напівпровідників АН України ; 1903-1974) \о нем\
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)