Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Пошуковий запит: <.>K=кристалізація аморфного кремнію<.>

Загальна кількість знайдених документів : 1

Комбінаційне розсіювання світла в процесі індукованої оловом кристалізації аморфного кремнію [Текст] / В. Б. Неймаш [та ін.] // Український фізичний журнал : науковий журнал / Національна академія наук України, Інститут теоретичної фізики ім. М. М. Боголюбова НАН України. - К., 2016. - Т. 61, № 2. - С. 149-155 : рис. 6, табл. 1. - Бібліогр.: с. 154-155 (36 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539.2

Рубрики: Фізика
   Физика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
сонячні елементи -- тонкі плівки -- нанокристали -- металом індукована кристалізація -- солнечные элементы -- тонкие пленки -- нанокристаллы -- металлом индуцированная кристаллизация -- метод комбінаційного розсіювання світла -- метод комбинационного рассеивания света -- кристалізація аморфного кремнію -- кристаллизация аморфного кремния -- індукована кристалізація -- индуцированная кристаллизация -- індукована оловом кристалізація -- индуцированная оловом кристаллизация
Анотація: Методом комбінаційного розсіювання світла різної потужності поверхнею тонкоплівкових структур Si-Sn-Si досліджено процеси індукованої оловом кристалізації аморфного кремнію. Аналіз спектрів комбінаційного розсіювання використано для контролю температури, розміру та концентрації кристалів Si, що утворюються в матриці аморфного Si в процесі вимірювання спектрів. Виявлено значне прискорення металом індукованої кристалізації при лазерному відпалі структур Si-Sn-Si порівняно з відпалом у темряві. Показано принципову можливість в режимі "on line" розмірів і концентрації кристалів Si в процесі їх формування.

Дод.точки доступу:
Неймаш, В. Б.; Довбешко, Г. І.; Шепелявий, П. Є.; Данько, В. А.; Мельник, В. В.; Ісаєв, М. В.; Кузьмич, А. Г.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)