Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>S=Фізика твердого тіла. Кристалографія у цілому<.>

Загальна кількість знайдених документів : 4
Показані документи с 1 за 4

Взаємодія адсорбованих атомів барію з поверхнею олігошарових плівок оксиду хрому / І. М. Засімович [и др.] // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2015. - № 9. - С. 59-66 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Фізика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія у цілому
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
оже-електронна спектроскопія -- молібден -- оксидні плівки -- гетерогенні каталізатори -- оксидно-відновна реакція -- адсорбція барію -- оксид хрому -- морфологія поверхні -- оже-электронная спектроскопия -- молибден -- оксидные пленки -- гетерогенные катализаторы -- окислительно-восстановительная реакция -- адсорбция бария -- оксид хрома -- морфология поверхности
Анотація: Методами оже-електронної спектроскопії та вимірювання роботи виходу досліджено адсорбцію барію на поверхні олігошарових (завтовшки декілька моношарів) плівок оксиду хрому, вирощених на грані (110) молібдену. Встановлено, що взаємодія барію з поверхнею плівки оксиду має характер окисно-відновної реакції з утворенням оксиду барію та частковим відновленням оксиду хрому. Досліджено вплив товщини та морфології поверхні плівки оксиду хрому на її здатність окиснювати адсорбований барій. Експериментально підтверджено також сильний вплив стану інтерфейсу металічна підкладка Мо (110) - олігошарова плівка оксиду хрому на окиснювальні властивості останньої. Отримані результати свідчать про можливість керування поверхневими властивостями олігошарових плівок оксидів шляхом зміни їх товщини, морфології поверхні та стану інтерфейсу металічна підкладка - оксидна плівка.

Дод.точки доступу:
Засімович, І. М.; Клименко, Є. В.; Старовойтова, Л. Н.; Наумовець, А. Г. (академік НАН України)

Знайти схожі

Горкавенко, Т. В.
Першопринципний розрахунок рівноважного положення та електронних спектрів домішок кисню і вуглецю в кремнії / Т. В. Горкавенко, І. В. Плющай, В. А. Макара // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2016. - № 6. - С. 65-71 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Матеріалознавство
   Фізика твердого тіла. Кристалографія у цілому
   Материаловедение
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
домішкові атоми -- електронна структура -- квазімолекули -- зонний магнетизм -- функціонал густини -- мікроелектроніка -- надпровідникові матеріали -- дефекти у кристалі -- электронная структура -- примесные атомы -- квазимолекулы -- зонный магнетизм -- функционал плотности -- микроэлектроника -- сверхпроводниковые материалы -- дефекты в кристалле
Анотація: Проведено ab initio розрахунок рiвноважного положення домiшкових атомiв кисню та вуглецю в надкомiрцi з 64 атомiв кремнiю методом функцiонала густини в узагальненому градiєнтному наближеннi за допомогою пакета програм ABINIT. Показано, що домiшковий атом вуглецю в кремнiї, на вiдмiну вiд кисню, може iснувати в стабiльному та метастабiльному станах. Розрахований кут квазiмолекули Si?O?Si дорiвнює ~136°, а кут квазiмолекули Si?C?Si становить ~155°. Наведено та проаналiзовано електроннi спектри надкомiрки з 64 атомiв кремнiю, що мiстить домiшковi атоми кисню та вуглецю при рiзних положеннях домiшок. Результати розрахункiв проаналiзовано з точки зору можливостi виникнення зонного магнетизму.

Дод.точки доступу:
Плющай, І. В.; Макара, Володимир Арсенійович (член-кореспондент НАН України)

Знайти схожі

Загородній, А. Г.
Міграція квантової частинки ланцюжком з пастками: квантові виходи захоплення [Текст] / А. Г. Загородній, Л. М. Христофоров // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2017. - № 1. - С. 44-51 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. . - ISSN 1025-6415

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Фізика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія у цілому
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
низьковимірні ґратки -- транспорт квантових частинок -- міграція -- неповернення -- рівняння Шрьодінгера -- Шрьодінгера рівняння -- необмежені ланцюжки з двома витоками -- напівобмежений ланцюжок з одним витоком -- низкоразмерные решетки -- транспорт квантовых частиц -- миграция -- невозвращение -- уравнение шредингера -- шредингера уравнение -- неограниченные цепочки с двумя выходами -- полуограниченные цепочки с одним выходом
Анотація: Обчислено квантові виходи захоплення квантової частинки, що мігрує ланцюжком з пастками. Показано, що можливі лише два типи залежності квантового виходу від інтенсивності захоплення ? з альтернативною поведінкою (асимптотичним наближенням до 0 або 1 у границі ? > ? ). Реалізація певного типу зумовлюється виключно початковою умовою міграції.

Дод.точки доступу:
Христофоров, Л. М.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

Індукована оловом кристалізація аморфного кремнію при імпульсному лазерному опроміненні / В. Б. Неймаш, В. Мельник , Л. Л. Федоренко // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 9. - С. 802-813 : рис. 10. - Бібліогр.: с. 811-813 (44 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539.2

Рубрики: Фізика
   Физика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія у цілому
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
сонячні елементи -- солненчные элементы -- тонкі плівки -- тонкие пленки -- нанокристали -- нанокристаллы -- кремній -- кремний -- олово -- металом індукована кристалізація -- металлом индуцированная кристаллизация -- метод комбінаційного розсіювання світла -- метод комбинационного рассеивания света
Анотація: Методом комбінаційного розсіювання світла досліджено процеси індукованої оловом кристалізації аморфного кремнію в тонкоплівкових структурах Si-Sn-Si під дією різних видів імпульсного лазерного опромінення. Експериментально визначено та проаналізовано залежності розмірів та концентрації нанокристалів Si від потужності лазерних імпульсів тривалістю 10 нс та 150 мкс з довжиною хвилі 535 нм та 1070 нм. Показано можливість ефективної індукованої оловом трансформації кремнію із аморфної фази в кристалічну за час порядку 10 нс в шарах а-Si товщиною 200 нм під дією імпульсу лазерного світла. Теоретичний розрахунок просторового і часового розподілу температур в зоні дії лазерного променя використано для інтерпретації експериментальних результатів.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_9\7.pdf

Дод.точки доступу:
Неймаш, В. Б. ; Мельник , В.; Федоренко, Л. Л. ; Шепелявий, П. Є.; Стрільчук, В. В. ; Ніколенко, А. С.; Ісаєв, М. В.; Кузьмич, А. Г.

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)