Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Пошуковий запит: <.>K=холодная эмиссия электронов<.>

Загальна кількість знайдених документів : 1

Находкін, М. Г.
Фотоелектронна емісія катода Si-Gd-O [Текст] / М. Г. Находкін, М. І. Федорченко // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 3. - С. 259-265 : рис. - Бібліогр.: с. 265 (23 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539.21:535

Рубрики: Фізика
   Физика
   Оптические свойства твердых тел
   Оптичні властивості твердих тіл
Кл.слова (ненормовані):
адсорбція -- Gd -- O -- Si(100) -- окислення -- Gd₂ O₃ -- емісія електронів -- робота виходу електронів -- автоелектронна емісія електронів -- електростатична емісія електронів -- холодна емісія електронів -- эмиссия электронов -- автоэлектронная эмиссия электронов -- электростатическая эмиссия электронов -- холодная эмиссия электронов -- поверхні напівпровідників -- дифракція повільних електронів -- адсорбция -- окисление -- работа выхода электрона -- поверхности полупроводников -- дифракция медленных электронов
Анотація: Методами фотоелектронної (hv = 1,9-10,2 eВ) та оже-електронної спектроскопій досліджено зміни електронних та емісійних властивостей фотокатода на основі багатошарової структури окислених атомів Gd на підкладці із Si(100) після напилення на його поверхню додаткових шарів атомів Gd та з часом перебування цієї структури в вакуумі. Було встановлено, що незважаючи на те, що робота виходу фотокатода на окремих етапах досліджень становила ?0,5 еВ, фотоемісія реєструвалась лише для hv ? 2,8 eВ. Аналіз отриманих результатів досліджень дозволив запропонувати модель імовірної енергетичної структури фотокатода, яка узгоджується з експериментальними даними. У відповідності з цією моделлю приповерхнева область фотокатода складається із Gd₂ O₃ товщиною ?1 нм і шириною забороненої зони ?5,3 еВ. Відстань від рівня Фермі до дна зони провідності в об'ємній частині Gd₂ O₃ дорівнює ?2,7 еВ. В забороненій зоні нижче рівня Фермі розташовані об'ємні локалізовані стани та заповнені поверхневі стани, зумовлені дефектами структури. На поверхні утворюється складний дипольний шар, відповідальний за зменшення роботи виходу.

Дод.точки доступу:
Федорченко, М. І.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)