Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Знайдено у інших БД:

Каталог книг (2)

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>K=тонкі плівки<.>

Загальна кількість знайдених документів : 8
Показані документи с 1 за 8

Комбінаційне розсіювання світла в процесі індукованої оловом кристалізації аморфного кремнію [Текст] / В. Б. Неймаш [та ін.] // Український фізичний журнал : науковий журнал / Національна академія наук України, Інститут теоретичної фізики ім. М. М. Боголюбова НАН України. - К., 2016. - Т. 61, № 2. - С. 149-155 : рис. 6, табл. 1. - Бібліогр.: с. 154-155 (36 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539.2

Рубрики: Фізика
   Физика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
сонячні елементи -- тонкі плівки -- нанокристали -- металом індукована кристалізація -- солнечные элементы -- тонкие пленки -- нанокристаллы -- металлом индуцированная кристаллизация -- метод комбінаційного розсіювання світла -- метод комбинационного рассеивания света -- кристалізація аморфного кремнію -- кристаллизация аморфного кремния -- індукована кристалізація -- индуцированная кристаллизация -- індукована оловом кристалізація -- индуцированная оловом кристаллизация
Анотація: Методом комбінаційного розсіювання світла різної потужності поверхнею тонкоплівкових структур Si-Sn-Si досліджено процеси індукованої оловом кристалізації аморфного кремнію. Аналіз спектрів комбінаційного розсіювання використано для контролю температури, розміру та концентрації кристалів Si, що утворюються в матриці аморфного Si в процесі вимірювання спектрів. Виявлено значне прискорення металом індукованої кристалізації при лазерному відпалі структур Si-Sn-Si порівняно з відпалом у темряві. Показано принципову можливість в режимі "on line" розмірів і концентрації кристалів Si в процесі їх формування.

Дод.точки доступу:
Неймаш, В. Б.; Довбешко, Г. І.; Шепелявий, П. Є.; Данько, В. А.; Мельник, В. В.; Ісаєв, М. В.; Кузьмич, А. Г.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

Оптичні та електрофізичні властивості гетероструктури 95% In₂O₃ + 5% SnO₂/ns-Si [Текст] / В. А. Виниченко [та ін.] // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 3. - С. 251-258 : рис., табл. - Бібліогр.: с. 257-258 (39 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

538.958

Рубрики: Фізика
   Физика
   Оптичні властивості і спектри
   Оптические свойства и спектры
   Україна
    Украина
Кл.слова (ненормовані):
вольт-амперні характеристики -- спектр поглинання -- тонкі плівки -- прозорі оксиди -- вольт-амперные характеристики -- спектр поглощения -- тонкие пленки -- прозрачные оксиды
Анотація: У роботі розглянуто оптичні та електрофізичні властивості гетероструктур 95% In₂O₃ + 5% SnO₂/ns-Si з товщиною плівок 6 та 12 нм, що наносились методом магнетронного розпилення та структуровану поверхню кремнію. Показано, що для плівки товщиною 6 нм характерна наявність декількох піків оптичного поглинання, тоді як у структурі з товщиною 12 нм в тому ж спектральному діапазоні ці максимуми відсутні. Визначено вплив газового середовища та оптичного випромінювання на електрофізичні властивості структур 95% In₂O₃ + 5% SnO₂/ns-Si та показано, що відгук досліджуваних структур на газове середовище пов'язаний з діелектричною проникністю абсорбату. Результати даного дослідження можна застосовувати при розробці резистивних газових сенсорів на основі плівок 95% In₂O₃ + 5% SnO₂/ns-Si.

Дод.точки доступу:
Виниченко, В. А.; Бученко, В. В.; Голобородько, Н. С.; Лендел, В. В.; Лушкін, О. Є.; Телега, В. М.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

Flexoelectric effect impact on the hysteretic dynamics of the local electromechanical response of mixed ionic-electronic conductors / A. N. Morozovska // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 4. - Р. 326-334 : рис. 4. - Бібліогр.: с. 333-334 (43 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Будова матерії
   Строение материи
Кл.слова (ненормовані):
flexoelectric effect -- mixed ionic-electronic moderate conductors -- thin films -- nanoparticles -- electrochemical strain microscopy -- флексоелектричний ефект -- флексоэлектрический эффект -- напівпровідники з іонно-електронною провідністю -- наполупроводники с ионно-электронной проводимостью -- тонкі плівки -- тонкие пленки -- наночастинки -- наночастички -- електромеханічна деформаційна мікроскопія -- электромеханическая деформационная микроскопия
Анотація: Сильний зв'язок між електрохімічними потенціалами, концентрацією електронів, іонів і деформацій, зпричинених флексоефектом є поширеною ознакою напівпровідників з іонно-електронною провідністю - матеріалів, які вибирають для пристроїв, починаючи від елементів опору та пам'яті і до іонних батарей і паливних елементів. В статті аналізуються відповідні механізми, які регулюють зміни концентрата зміщення (розширення Вегадра, деформаційний потенціал і флексоефект). Цікаво, що внесок флексоелектричного зв'язку в локальне зміщення поверхні напівпровідників є складним і динамічним ефектом, який може призвести до різкої зміни механічного відгуку, залежно від значень флексоелектричних коефіцієнтів і інших зовнішніх умов. Чисельне моделювання показало, що вплив флексоелектричного ефекту на механічний відгук може змінюватися від простого, до появи додаткової деформації, що призводить до порівняно невеликої зміни форми петлі гістерезису і зміни орієнтації, і до появи складних скручених петель гістерезису.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_4\7.pdf

Дод.точки доступу:
Morozovska, A. N.; Glinchuk, M. D.; Varenyk, O. V.; Udod, A.; Scherbakov, C. M.; Kalinin, S. V.

Знайти схожі

Vishwakarma, R.
Thickness-dependent structural, electrical, and optical properties of ZnS thin films deposited by thermal evaporation / R.Vishwakarma // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 5. - P. 419-428 : рис. 8. - Бібліогр.: с. 427-428 (35 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Будова матерії
   Строение материи
Кл.слова (ненормовані):
ZnS films -- Zns плівки -- grain size -- розмір зерна -- размер зерна -- dislocation density -- густина дислокації -- плотность дислокации -- electrical resistivity -- електричний опір -- электрическое сопротивление -- band gap -- заборонена зона -- запретная зона -- activation energy -- енергія активації -- энергия активации -- electron mobility -- рухливість електронів -- подвижность электронов -- тонкие пленки -- тонкі плівки -- метод термічного випаровування -- метод термического испарения
Анотація: Тонкі плівки ZnS осаджені методом термічного випаровування при кімнатній температурі на скляну підкладку, очищену ультразвуком. Товщина плівок змінювалася від 400 до 1300 нм. Структуру плівок досліджено за допомогою рентгеноструктурного аналізу, растової електронної мікроскопії (SEM) і рентгенівського дисперсійного аналізу. Електричні і оптичні властивості вимірювалися двоточечним зондом на постійному струмі, за ефектом Холла і за спектрами поглинання у видимому і ультрафіолетовому світлі. Рентгенівські спектри показали, що плівки полікристалічні і мають кубічну структуру з переважаючою (111) орієнтацією. Дифракційні картини стають різкішими з ростом товщини плівок. За даними SEM розмір нанозерен плівок близько 97,89 нм. Зменшення опору свідчить про напівпровідникову природу плівок. У плівок з товщиною понад 1200 нм максимальна рухливість дорівнює 26,3•10¹ см²/B•c, мінімальний опір 0,08•10⁶ (Ом•см) і ширина забороненої зони 3,26 еВ. З урахуванням цих властивостей знайдено оптимальну товщину плівок.

Перейти к внешнему ресурсу: \\New\textlok\Укр_фізич_журн_2017_5\8.pdf

Знайти схожі

Індукована оловом кристалізація аморфного кремнію при імпульсному лазерному опроміненні / В. Б. Неймаш, В. Мельник , Л. Л. Федоренко // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 9. - С. 802-813 : рис. 10. - Бібліогр.: с. 811-813 (44 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539.2

Рубрики: Фізика
   Физика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія у цілому
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
сонячні елементи -- солненчные элементы -- тонкі плівки -- тонкие пленки -- нанокристали -- нанокристаллы -- кремній -- кремний -- олово -- металом індукована кристалізація -- металлом индуцированная кристаллизация -- метод комбінаційного розсіювання світла -- метод комбинационного рассеивания света
Анотація: Методом комбінаційного розсіювання світла досліджено процеси індукованої оловом кристалізації аморфного кремнію в тонкоплівкових структурах Si-Sn-Si під дією різних видів імпульсного лазерного опромінення. Експериментально визначено та проаналізовано залежності розмірів та концентрації нанокристалів Si від потужності лазерних імпульсів тривалістю 10 нс та 150 мкс з довжиною хвилі 535 нм та 1070 нм. Показано можливість ефективної індукованої оловом трансформації кремнію із аморфної фази в кристалічну за час порядку 10 нс в шарах а-Si товщиною 200 нм під дією імпульсу лазерного світла. Теоретичний розрахунок просторового і часового розподілу температур в зоні дії лазерного променя використано для інтерпретації експериментальних результатів.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_9\7.pdf

Дод.точки доступу:
Неймаш, В. Б. ; Мельник , В.; Федоренко, Л. Л. ; Шепелявий, П. Є.; Стрільчук, В. В. ; Ніколенко, А. С.; Ісаєв, М. В.; Кузьмич, А. Г.

Знайти схожі

Abubakar, D.
Investigation on the structural and optical properties of NiO nanoflakes. Chemical bath deposition of Ni(OH)₂ thin films / D. Abubakar // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 11. - P. 964-971 : рис. 4, табл. 2. - Бібліогр.: с. 970-971 (25 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Будова матерії
   Строение материи
Кл.слова (ненормовані):
annealing temperature -- температура відпалу -- температура отжига -- nanoflakes -- нанолусочки -- thin films -- тонкие пленки -- тонкі плівки -- chemical bath deposition -- метод хімічного осадження -- метод химического осаждения -- nickel oxide -- оксид нікелю -- оксид никеля
Анотація: Методом хімічного осадження вирощені пористі нанолусочки окису нікелю NiO. На підкладці оксид індію-олова/скло отримані тонкі плівки і піддані відпалу при змінній температурі в печі. Вивчено та проаналізовано їх структуру, оптичні властивості і морфологію поверхні. Методом емісійної растрової електронної мікроскопії показано присутність нанолусочок у структурі NiO/Ni(OH)₂ тонких плівок. Розміри нанолусочок збільшуються з ростом температури відпалу. Знайдено, що найбільшу площу поверхні має зразок, вирощений при 300 ^оС. Результати енергодисперсійної спектроскопії показують нестехіометрію атомного відношення зразка, що відповідає р-типу NiO тонкої плівки. Методом атомної силової спектроскопії знайдено, що зразок, вирощений при 300 ^оС, має найбільшу шорсткість (47,9 нм). Рентгеноструктурний аналіз показує, що NiO нанолусочки мають кубічну структуру з піками орієнтації (111), (200), і (220). Це особливо чітко проявляється при 300 ^оС. Рентгеноструктурний аналіз також показує відсутність NiO/Ni(OH)₂ піка при відпалі. Вимірювання в ультрафіолеті і видимому світі дають малу ширину забороненої зони 3,80 еВ для 300^оС через високу кристалічність. Ця температура оптимальна для синтезу NiO нанолусочок високої якості, що важливо для їх застосування в сенсорах.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_11\7.pdf

Дод.точки доступу:
Mahmoud, N.; Mahmud, Sh.

Знайти схожі

Gavrilko, T.
Optical properties and stability of bilayer rubrene-Alq3 films fabricated by vacuum deposition / T. Gavrilko, V. Nechytaylo, L. Viduta, J. Baran // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 4. - P. 362-369 : рис. 7. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Будова матерії
   Строение материи
Кл.слова (ненормовані):
rubrene -- Alq3 -- oxidized rubrene -- окислений рублен -- окисленный рубрен -- vacuum deposition -- вакумні напорошення -- вакуумные напыления -- thin films -- тонкі плівки -- тонкие пленки -- FTIR spectra -- Спектри FTIR -- Спектры FTIR -- photoluminescence -- фотолюмінесценція -- фотолюминесценция
Анотація: Досліджено оптичні та структурні властивості двокомпонентних плівок рубрен-Alq3, одержаних методом вакуумного напорошення (ВН). Відомо, що доповані рубреном активні матеріали для органічних світловипромінювальних діодів та транзисторів демонструють покращені електролюмінесцентні та електротранспортні характеристики, але практичному застосуванню таких систем перешкоджає хімічна нестабільність рубрену, що скорочує експлуатаційний термін служби відповідних пристроїв. В роботі досліджено вплив захисного шару Alq3, а також наявності різних ізомерів молекули рубрену на його хімічну стабільність у двошарових тонкоплівкових структурах. На основі експериментальних досліджень спектрів ІЧ поглинання та часової еволюції спектрів фотолюмінесценції було показано, що процес фотодеградації (утворення перекису) рубрену у плівках рубрен-Alq3 відбувається більш повільно, ніж у тонких шарах самого рубрену. Результати свідчать про те, що нанесення захисного шару Alq3 може бути засобом підвищення хімічної стійкості рубрену до фотоокислення у оптоелектронних приладах. Також нами вперше виявлено процес кристалізації аморфної плівки фотоокисленого рубрену під час її високотемпературного відпалу, який супроводжується відновленням первісної хімічної структури молекули рубрену.

Дод.точки доступу:
Nechytaylo, V.; Viduta, L.; Baran, J.

Знайти схожі

Self-organized structuring of the surface of a metal-semiconductor composite by femtosecond laser processing / N. Berezovska [et al.] // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 5. - P. 406-412 : рис. 3, табл. 2. - Бібліогр.: с. 411-412 (30 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Будова матерії
   Строение материи
Кл.слова (ненормовані):
solar cell -- сонячна батарея -- солнечная батарея -- thin film -- тонкі плівки -- тонкие пленки -- nanoparticle -- наночастинки -- наночастицы -- laser-induced periodic surface structure -- лазерна індукована періодична структура поверхні -- лазерная индуцированная периодическая структура поверхности -- surface plasmon -- поверхневий плазмон -- поверхностный плазмон
Анотація: Вивчено особливості лазерної обробки композита, що складається з тонкої плівки металу (золота) на поверхні напівпровідникової підкладки (кремній (100)). Мікро- та наноструктурування композитного зразка метал-напівпровідник досягається шлахом опромінення його поверхні за допомогою титан-сапфірового фемтосекундного лазера. Лазерна абляція призводить до структурування поверхні напівпровідника у вигляд лазерно-індукованих періодичних структур (ЛІПС), утворення напівпровідникових нанопагорбів, наночастинок металів та/або нанодротів на вершинах пагорбів. Наявність деяких нанорозмірних особливостей підтверджується низькочастотним зсувом фононної смуги кремнію в спектрах КРС. Створені мікроструктурні поверхневі бар'єрні сонячні комірки характеризуються за допомогою скануючої електронної мікроскопії, оптичної спектроскопії та фотоелектричних вимірювань.

Дод.точки доступу:
Berezovska, N.; Dmitruk, I.; Kalyuzhnyy, A.; Dmytruk, A.; Blonskyi, I.

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)