Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>K=гетероструктури<.>

Загальна кількість знайдених документів : 5
Показані документи с 1 за 5

Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiO{\dn x}/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії / Ю. М. Козирев [и др.] // Доповіді Національної академії наук України. - 2010. - № 1. - С. 71-76. - Библиогр.: с. 75-76. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ . - ISSN 1025-6415

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Молекулярная физика в целом
   Фізика
   Молекулярна фізика в цілому
Кл.слова (ненормовані):
фізика -- физика -- матриці -- матрицы -- гетероструктури -- гетероструктуры -- властивості систем -- особенности систем -- транзистори -- транзисторы -- моношарові плівки -- моношаровые пленки -- молекулярно-промінева епітаксія -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- нанокластери -- нанокластеры
Анотація: Системи саморганізованих нанокластерів Si та Gе одержано методом молекулярно-променевої епітаксії на первісно аморфному оксидованому шарі SiOx.

Дод.точки доступу:
Козирев, Ю. М. (член-кореспондент НАН України); Картель, М. Т.; Рубежанська, М. Ю.; Скляр, В. К.; Дмитрук, Н. В.; Тайхерт, К.; Хофер, К.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

Наногибридные электролюминесцентные гетероструктуры на основе поли(диктилфлуорена) и градиентных квантовых точек CdZnSeS / В. П. Семиноженко [и др.] // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 1. - С. 89-95 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ . - ISSN 1025-6415

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Фізика
   Фізика напівпровідників і діелектриків
Кл.слова (ненормовані):
материаловедение -- матеріалознавство -- электролюминесцентные гетероструктуры -- електролюмінесцентні гетероструктури -- полидиктилфлуорены -- полідіктілфлуорени -- градиентные квантовые точки -- градієнтні квантові точки -- полупроводники -- напівпровідники -- диэлектрики -- діелектрики -- OLED-структуры -- OLED-структури -- электролюминесцентные излучатели -- електролюмінесцентні випромінювачі
Анотація: Определены условия образования наногибридной планарной гетероструктуры со слоем полимерного полупроводника и сверхтонким слоем квантовых точек с функцией эффективного электролюминесцентного излучателя в OLED-структурах.

Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПИ"

Дод.точки доступу:
Семиноженко, В. П. (академик НАН Украины); Матвиенко, О. О.; Крыжановская, А. С.; Саввин, Ю. Н.; Погорелова, Н. В.; Ващенко, В. В.; Толмачев, О. В. (член-корреспондент НАН Украины)

Знайти схожі

Горішний, М. П.
Структура, оптичні і фотовольтаїчні властивості тонких плівок тетрацену [Текст] / М. П. Горішний // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 1. - С. 52-60 : рис. 4, табл. 3. - Бібліогр.: с. 59-60 (32 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

535.33

ББК 22.344
Рубрики: Фізика
   Физика
   Спектроскопия
   Спектроскопія
Кл.слова (ненормовані):
тонкі плівки тетрацену -- гетероструктури AITcAu -- спектри поглинання твердих тіл -- спектри поглинання кристалів -- спектр поглинання -- фотовольтаїчний відгук -- тонкие пленки тетрацена -- гетероструктуры AITcAu -- спектр поглощения -- фотовольтаический отклик -- спектры поглощения твердых тел -- спектры поглощения кристаллов
Анотація: Досліджено структуру, спектри поглинання і фотовольтаїчний відгук тонких плівок тетрацену (Тс) товщинами 120 і 200 нм, напорошених у вакуумі 6,5 мПа на різні підкладки при кімнатній температурі. Фотовольтаїчний відгук виміряно конденсаторним методом. Встановлено, що на скляних і кварцових підкладках утворюються острівцеві, а на мідних - суцільні полікристалічні плівки, що зумовлено різними величинами енергії взаємодії молекул Tc між собою та із молекулами підкладок, шарів ІТО та атомами карбону на поверхні цих підкладок. В квазіаморфних плівках збуджені світлом молекули Тс при 4,2 К деформуються сильніше порівняно із такими у полікристалічних плівках і вільними молекулами при 300 К. У спектральному діапазоні 1,637-3,258 еВ знак фронтальної конденсаторної фото-ерс на освітленій вільній поврехні плівок Тс від'ємний, що свідчить про їх діркову фотопровідність. Тильна фото-ерс плівок Тс товщиною 120 нм (освітлення через ІТО-електрод, який безпосередньо контактує із плівкою Тс) змінює свій знак у спектральних областях 2,193-2,494 і 2,927-3,153 еВ при зменшенні концентрації кисню у вимірювальній комірці, що свідчить про зміну величини вигинів енергетичних зон Тс біля тильної біля тильної і вільної поверхонь цих плівок.

Дод.точки доступу:
Вербицький, А. Б.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

Оптичні та електрофізичні властивості гетероструктури 95% In₂O₃ + 5% SnO₂/ns-Si [Текст] / В. А. Виниченко [та ін.] // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 3. - С. 251-258 : рис., табл. - Бібліогр.: с. 257-258 (39 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

538.958

Рубрики: Фізика
   Физика
   Оптичні властивості і спектри
   Оптические свойства и спектры
   Україна
    Украина
Кл.слова (ненормовані):
вольт-амперні характеристики -- спектр поглинання -- тонкі плівки -- прозорі оксиди -- вольт-амперные характеристики -- спектр поглощения -- тонкие пленки -- прозрачные оксиды
Анотація: У роботі розглянуто оптичні та електрофізичні властивості гетероструктур 95% In₂O₃ + 5% SnO₂/ns-Si з товщиною плівок 6 та 12 нм, що наносились методом магнетронного розпилення та структуровану поверхню кремнію. Показано, що для плівки товщиною 6 нм характерна наявність декількох піків оптичного поглинання, тоді як у структурі з товщиною 12 нм в тому ж спектральному діапазоні ці максимуми відсутні. Визначено вплив газового середовища та оптичного випромінювання на електрофізичні властивості структур 95% In₂O₃ + 5% SnO₂/ns-Si та показано, що відгук досліджуваних структур на газове середовище пов'язаний з діелектричною проникністю абсорбату. Результати даного дослідження можна застосовувати при розробці резистивних газових сенсорів на основі плівок 95% In₂O₃ + 5% SnO₂/ns-Si.

Дод.точки доступу:
Виниченко, В. А.; Бученко, В. В.; Голобородько, Н. С.; Лендел, В. В.; Лушкін, О. Є.; Телега, В. М.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

Горішний, М. П.
Донор-акцепторна взаємодія в плівках гетероструктур і композитів тетрацена із тетраціанхінодиметаном / М. П. Горішний, А. Б. Вербицький // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 1. - С. 69-79. - Бібліогр.: с. 77-78 (43 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

Рубрики: Фізика
   Физика
   Кристалографія
   Кристаллография
   Поглощение. Спектры поглощения
   Поглинання. Спектри поглинання
   Фотоелектричні явища в замикаючому шарі. Вентильний фотоефект. Фотогальванічний ефект
   Фотоэлектрические явления в запирающем слое. Вентильный фотоэффект. Фотогальванический эффект
   Группа нафтацена
   Група нафтацена
Кл.слова (ненормовані):
донор-акцепторна взаємодія -- донор-акцепторное взаимодействие -- плівки -- пленки -- гетероструктури -- гетероструктуры -- композити -- композиты -- тетрацен -- тетраціанохінодиметан -- тетрацианохинодиметан -- спектр поглинання -- спектр поглощения -- фотовольтаїчний відгук -- фотовольтаический отзыв -- фото-ерс -- фото-эрс
Анотація: Досліджено структуру, спектри поглинання і фотовольтаїчний відгук тонких плівок тетрацену (Тс), тетраціанхінодиметану (TCNQ), гетероструктур (ГС) Тс/ТСNQ і композитів Тс+ТСNQ. ГС і композити одержано послідовним і одночасним вакуумним термічним напорошенням компонент відповідно. Фотовольтаїчний відгук виміряно конденсаторним методом. Вперше встановлено, що найбільші зміни ?D₁ в спектрах поглинання ГС і композитів порівняно із таким для суми поглинання компонент спостережено в областях димерних смуг ТСNQ 2,214 еВ (?D₁ < 0) і всіх смуг Тс (?D₁ < 0). Ці зміни свідчать про утворення на межі розподілу ГС і в об'ємі композитів СТ-комплексів (charge transfer complexes) між молекулами Тс (донор) і ТСNQ (акцептор електронів), що підтверджується також появою смуг Тс+ і ТСNQ^- в спектрах фотовідгуку ГС і композитів. Цей результат є важливим для більш глибокого розуміння принципів роботи потенційно можливих різних пристроїв на основі цих ГС і композитів (сонячних елементів, польових транзисторів і світлодіодів).

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_жур\Укр_фізич_журн_2018_1\7.pdf

Дод.точки доступу:
Вербицький, А. Б.

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)