Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Знайдено у інших БД:

Каталог книг (7)

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>S=полупроводниковые приборы<.>

Загальна кількість знайдених документів : 7
Показані документи с 1 за 7

Форма документа : Стаття зі збірника (однотомник)
Шифр видання : 06/У68
Автор(и) : Музыкин В.А., Василюк И.Ф., Шаповалов В. А., Львов Г.В.
Назва : Измерение зарядов восстановления силовых полупроводниковых приборов и исследование влияния разбросов этих зарядов на распределение токов и напряжений между полупроводниковыми приборами в преобразователях ЭПС
Місце публікування : Труды УЭМИИТа. - 1984. - Вып. 71. - С. 56-68
УДК : 621.355
Предметні рубрики: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Напівпровідникові прилади
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Каменцев Г. Ю.
Назва : Локомотивам- современные полупроводниковые приборы
Місце публікування : Локомотив. - 2012. - № 7. - С. 6-8: рис. (Шифр Л1/2012/ 7)
УДК : 621.314.63.002.2 + 629.42
Предметні рубрики: Полупроводниковые приборы
Напівпровідникові прилади
Электроснабжение железнодорожного транспорта
Електропостачання залізничного транспорту
Локомотивы
Локомотиви
Географіч. рубрики: Росcия
Роcія
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Ільченко В. В., Костюкевич О. М., Лендєл В. В., Радько В. І., Голобородько Н. С.
Назва : Про механізм впливу газового середовища на електрофізичні параметри гетероструктур на основі бар'єра Шотткі з наноструктурованими плівками складу (95% In[[d]]2[[/d]] O[[d]]3[[/d]] + 5% SnO[[d]]2[[/d]])
Місце публікування : Український фізичний журнал: науковий журнал/ Національна академія наук України, Інститут теоретичної фізики ім. М. М. Боголюбова НАН України. - К., 2016. - Т. 61, № 1. - С. 40-45: рис. 3 (Шифр У7/2016/61/1)
Примітки : Бібліогр.: с. 45 (19 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметні рубрики: Фізика
Физика
Полупроводниковые приборы
Напівпровідникові прилади
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): газові сенсори--адсорбція--діелектрична проникність--електричні сили зображення--використання якостей твердого тіла--напівпровідникова електроніка--бар'єр шотткі--шотткі бар'єр --газовые сенсоры--адсорбция--диэлектрическая проницаемость--электрические силы изображения--барьер шоттки--шоттки барьер--использование свойств твердого тела--полупроводниковая электроника
Анотація: Проведено експериментальні дослідження електрофізичних властивостей газочутливих гетероструктур складу Ni - (95% In[[d]]2[[/d]] O[[d]]3[[/d]] + 5% SnO[[d]]2[[/d]]) - p-Si. Аналіз їх вольтамперних характеристик, отриманих у різних газових середовищах, виявив суттєве зростання зворотних струмів крізь зразки в присутності пари етилового та ізопропілового спиртів. Для пояснення цих змін розглянуті різні механізми протікання струму крізь гетероперехід. Було показано, що суттєву роль у зсувах зворотних гілок ВАХ даних зразків відіграють зміни висоти потенціального бар'єра гетеропереходу, спричинені зміною дії сил електростатичного зображення в інтерфейсі. А зміни дії сил електростатичного зображення, в свою чергу, зумовлені впливом адсорбату на діелектричну проникність оксидних плівок.
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання : 621.382
Автор(и) : Прохоров Э. Д., Боцула О. В., Реутина О. А.
Назва : Эффективность генерации планарных диодов n[[p]]+[[/p]]-n-n[[p]]+[[/p]] с туннельными границами
Серія: Фізика
Місце публікування : Доповіді Національної академії наук України. - Київ, 2014. - № 3. - С. 82-89: ил. - ISSN 1025-6415. - ISSN 1025-6415
Примітки : Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметні рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Радіоелектроніка
Напівпровідникові прилади
Анотація: Рассматриваются диоды n[[p]]+[[/p]]-n-n[[p]]+[[/p]] с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами.
Перейти к внешнему ресурсу: \\tower-2008\textlok\Адвокат\\Доповіді НАН Укр_2014_3\13.pdf
Знайти схожі

Форма документа : Стаття зі збірника (однотомник)
Шифр видання : 06/В 85
Автор(и) : Хазен М. М.
Назва : Повышение эксплуатационной надежности силовых полупроводниковых приборов в преобразовательных агрегатах и их технико-экономическая эффективность
Місце публікування : Совершенствование нетяговых энергетических установок железнодорожного транспорта: сб. науч. тр./ ВНИИЖТ. - М., 1984. - С. 112-120 (Шифр 06/В 85-412640)
УДК : 621.382.2/.3 + 629.423
Предметні рубрики: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Напівпровідникові прилади
Знайти схожі

Форма документа : Стаття зі збірника (однотомник)
Шифр видання : 656.2/С 56
Автор(и) : Хмарский Ю.И.
Назва : Реализация защитных свойствконтактных элементов в условиях приминения современных бесконтактных полупроводниковых элементов
Місце публікування : Современные информационные технологии на транспорте, в промышленности и образовании: Тезисы ІІ Междунар. научно-практ. конференции. 15.05.2008 - 16.05.2008/ Мин. транспорта и связи Украины. ДНУЖТ им. академика В. Лазаряна. Восточныу науч. центр трансп. Академии Украины. - Д.: ДИИТ, 2008. - С. 43 (Шифр 656.2/С 56-629541)
Предметні рубрики: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Напівпровідникові прилади
Знайти схожі

Форма документа : Стаття зі збірника (однотомник)
Шифр видання : 656.2/С 56
Автор(и) : Шаповалов В.О.
Назва : Використання методів кластерного аналізу для підбору напівпровідникових приладів з урахуванням розбросу параметрів
Місце публікування : Современные информационные технологии на транспорте, в промышленности и образовании: Тезисы ІІ Междунар. научно-практ. конференции. 15.05.2008 - 16.05.2008/ Мин. транспорта и связи Украины. ДНУЖТ им. академика В. Лазаряна. Восточныу науч. центр трансп. Академии Украины. - Д.: ДИИТ, 2008. - С. 85 (Шифр 656.2/С 56-629541)
Предметні рубрики: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Напівпровідникові прилади
Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)