Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Пошуковий запит: <.>K=сканувальна тунельна мікроскопія<.>

Загальна кількість знайдених документів : 1

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Горячко А., Мельник П. В., Находкін М. Г.
Назва : Пропозиція структури графен/Ge(111) на основі дослідження методом скануючої тунельної мікроскопії у надвисокому вкуумі
Місце публікування : Український фізичний журнал: науковий журнал/ Національна академія наук України, Інститут теоретичної фізики ім. М. М. Боголюбова НАН України. - К., 2016. - Т. 61, № 1. - С. 77-90: рис. 7 (Шифр У7/2016/61/1)
Примітки : Бібліогр.: с. 90 (27 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК : 537.533/.534
ББК : 22.338
Предметні рубрики: Фізика
Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): германій--графен--сканувальна тунельна мікроскопія--електронні стани--електронні структури--напівпроводники--електрична провідність--рух заряджених частинок--електричне поле--магнітне поле--германий--сканирующая туннельная микроскопия--электронные состояния --электронные структуры--полупроводники--электрическая проводимость--движение заряженных частиц--электрическое поле--магнитное поле
Анотація: У роботі наведено результати експериментальних спостережень методом скануючої тунельної мікроскопії нової поверхневої надструктури 5,5v3 x 5,5v3 - R30[[p]]o[[/p]] на підкладці Ge(111). Їй притаманні яскраво виражені ефекти локальної густини електронних станів, що спричиняють сильну залежність СТМ зображень від тунельної напруги, а також їхні динамічні зміни при 300 К. Запропновонано інтерпретацію даної надструктури як графену, що формується у малих субмоношарових кількостях шляхом піролізу вуглеводневих складових залишкової атмосфери вакуумної камери під час відпалу зразка Ge(111) при 900 К. Побудовано атомарну модель гетероепітаксійного інтерфейсу графен/Ge(111)-5,5v3 х 5,5v3 - R30[[p]]o[[/p]], що відзначається реконструйованою підкладкою Ge(111) без дального порядку під шаром графену, який є періодично вигнутим по висоті внаслідок просторових варіацій міжатомної геометрії надзвичайно сильно неузгоджених граток Ge(111) та графен (0001).
Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)