Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>K=квантові точки<.>

Загальна кількість знайдених документів : 7
Показані документи с 1 за 7

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання : 621.315.592
Автор(и) : Гайдар Г. П.
Назва : Епітаксійне вирощування нанооб’єктів і умови прояву ефекту самоорганізації
Серія: Матеріалознавство
Місце публікування : Доповіді Національної академії наук України. - К., 2010. - № 1. - С. 98-102. - ISSN 1025-6415 (Шифр dpn/2010/1). - ISSN 1025-6415
Примітки : Библиогр.: с. 101-102. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметні рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Енергетика
Напівпровідникові матеріали та вироби
Анотація: Проаналізовано умови прояву ефекту самоорганізації при вирощуванні нанооб’єктів методом молекулярно-променевої епітаксії.
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання : 577.1
Автор(и) : Борова М. М., Науменко А. П., Пiрко Я. В., Круподьорова Т. А., Ємець А. I., Блюм Я. Б.
Назва : Отримання квантових точок CdS з використанням гриба Pleurotus ostreatus
Серія: Бiохiмiя
Місце публікування : Доповіді Національної академії наук України. - Київ, 2014. - № 2. - С. 153-159: ил. - ISSN 1025-6415. - ISSN 1025-6415
Примітки : Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ
УДК : 577.1
ББК : 28.072
Предметні рубрики: Биология
Общая биохимия
Біологія
Загальна біохімія
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): біосинтез напівпровідникових наночастинок--биосинтез полупроводниковых наночастиц--квантові точки--квантовые точки--метод просвічувальної електронної мікроскопії--метод просвечивающей электронной микроскопии--наночастинки сульфіду кадмію--наночастицы сульфида кадмия--культивування міцелію гриба --культивирование мицелия гриба--pleurotus ostreatus
Анотація: Шляхом біологічного синтезу під час культивування міцелію гриба Pleurotus ostreatus з солями CdSO[[d]]4[[/d]] й Na[[d]]2[[/d]]S отримано напівпровідникові наночастинки (квантові точки) CdS.
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання : 577.1
Автор(и) : Борова М. М., Науменко А. П., Ємець А. I., Блюм Я. Б.
Назва : Стабільність квантових точок СdS, синтезованих за допомогою бактерії Escherichia coli
Серія: Бiохiмiя
Місце публікування : Доповіді Національної академії наук України. - Київ, 2014. - № 7. - С. 145-151: ил. - ISSN 1025-6415. - ISSN 1025-6415
Примітки : Библиогр. в конце ст.
УДК : 577.1
ББК : 28.072
Предметні рубрики: Биология
Общая биохимия
Біологія
Загальна біохімія
Анотація: Отримано напівпровідникові наночастинки СdS з використанням бактерії Escherichia coli.
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання : 53
Автор(и) : Gemechu N., Senbeta T., Mesfin B., Mal'nev V. N.
Назва : Thermoluminescence from silicon quantum dots in the two traps-one recombination center model
Місце публікування : Український фізичний журнал: науковий журнал/ Національна академія наук України, Інститут теоретичної фізики ім. М. М. Боголюбова НАН України. - К., 2017. - Т. 62, № 2. - С. . 140-145: рис. 6, табл. 1
Примітки : Бібліогр.: с. 144-145 (12 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК : 53 + 539
Предметні рубрики: Фізика
Физика
Будова матерії
Строение материи
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): thermoluminescence--quantum dots--radiative recombination--retrapping--термолюмінесценція--термолюминисценция--квантові точки--квантовые точки--радіаційна рекомбінація--радиационная рекомбинация--модели кинетики квантовых точек--моделі кінетики квантових точек
Анотація: Запропоновано модель кінетики першого і довільного порядків термолюмінесценції (ТЛ) квантових точок кремнію, що включає один центр рекомнбінації і два різних електронних рівня пасток нижче краю зони провідності. Кінетичні рівняння для кожного рівня дозволяють чисельно моделювати залежність концентрації електронів у пастках і інтенсивності ТЛ від температури для квантових точок 2-8 нм у діаметрі. Показано, що інтенсивність зростає при зменшенні діаметра точок, тобто, ефект квантового утримування збільшує швидкість радіаційної рекомбінації. Два піка інтенсивності відповідають двом різним електронним рівням. Зі збільшенням розміру точок піки, відповідні самому глибокому рівню, зсуваються до області великих температур. Розраховано зміну концентрації електронів у пастках, і цей результат відповідає експериментальним даним по ТЛ тліючого розряду.
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Бойчук В. І., Білинський І. В., Пазюк Р. І.
Назва : Мінізонна електропровідність у надгратках сферичних квантових точок гетеросистеми InAs/GaAs
Місце публікування : Український фізичний журнал. - Київ, 2017. - Т. 62, № 4. - С. 335-342: рис. 5
Примітки : Бібліогр.: с. 340-342 (36 назв) . - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК : 621.315.592
Предметні рубрики: Фізика
Физика
Напівпровідники
Полупроводники
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): квантові точки--надгратки--електронні стани--мінізона--електрична провідність--квантовые точки--сверхрешетки--электронные состояния--минизоны--электрическая проводимость
Анотація: Досліджуються електричні властивості напівпровідникових наногетеросистем InAs/GaAs з 2D-надгратками сферичних квантових точок. Отримані залежності групової швидкості електронів від хвильового вектора та номера мінізони. Встановлено залежність рівня Фермі системи електронів в мінізонах від концентрації донорних домішок, енергії їх залягання та температури. Досліджено температурну залежність концентрації основних носіїв та електропровідності для різних значень концентрації та енергії залягання донорів.
Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_4\8.pdf
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Бондар М. В. , Бродин М. С. , Матвєєвська Н. А. , Бейник Т. Г.
Назва : Перколяційні пороги та люмінесценція плівок на основі бінарних сумішей сферичних частинок, покритих квантовими точками
Місце публікування : Український фізичний журнал: науковий журнал/ Національна академія наук України, Інститут теоретичної фізики ім. М. М. Боголюбова НАН України. - К., 2017. - Т. 62, № 10. - С. 868-876: рис. 5
Примітки : Бібліогр.: с. 875-876 (30 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ
УДК : 530.145
Предметні рубрики: Фізика
Физика
Квантовая механика
Квантова механіка
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): квантові точки--квантовые точки--плівки--пленки--люмінесценція--люминесценция--сферична геометрія підкладки--сферическая геометрия подложки --перкуляційні пороги--перкуляционные пороги--люмінесценція плівок--люминисценция пленок--бінарні суміші--бинарные смеси--перкуляційні переходи--перкуляционные переходы--оптичні спектри--оптические спектры
Анотація: Проаналізовані експериментальні результати дослідження плівок на основі бінарних сумішей чистих субмікронних сфер SiO[[d]]2[[/d]] (SP) та вкритих квантовими точками CdS (NP) з різними величинами покриття та співвідношення концентрацій SP : NP. Дослідження часів седиментації водних суспензій SP, NP та їх сумішей, а також аналіз їх спектрів поглинання та фотолюмінесценції дозволило виявити два перколяційних порога екситонів: квазідвовимірний (2D) та об'ємний (3D). Перший виникає на поверхні NP частинок у масиві квантових точок CdS при критичній величині покриття, коли хвильова функція екситонів охоплює всю поверхню NP частинок. Другий - у площині плівок при пороговій концентрації NP частинок у бінарній суміші. Фазовий перехід виникає тільки за умови, коли система одночасно знаходиться вище обох порогів, що добре проявляється у відповідних оптичних спектрах зразків.
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Грушка В. І. , Пелещак Р. М.
Назва : Поляронний стан в самоузгодженому електрон-деформаційному полі квантова точка-матриця
Місце публікування : Український фізичний журнал. - Київ, 2017. - Т. 62, № 11. - С. 978-985: рис. 2
Примітки : Бібліогр.: с. 984-985 (22 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК : 539
Предметні рубрики: Фізика
Физика
Будова матерії
Строение материи
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): квантові точки--квантовые точки--полярон--електрон-деформаційний потенціал--электрон-деформационный потенциал--енергія зв'язку--энергия связи--електрони--электроны
Анотація: У межах самоузгодженої електрон-деформаційної моделі розраховано глибину потенціальної ями для електрона в наногетеросистемі з квантовими точками. Показано, що в напруженій наногетеросистемі InAs/GaAs із сферичними квантовими точками InAs існують деформаційні поля, які виникають на межі розподілу квантова точка-матриця, що призводять до підсилення поляронних ефектів порівняно з недеформованими матеріалами. Розраховано енергію електронного полярона із врахуванням внесків електростатичної енергії та енергії, зумовленої як механічною, так і електрон-деформаційною складовими деформацій матеріалів КТ та матриці.
Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_11\9.pdf
Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)