Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>K=електрична провідність<.>

Загальна кількість знайдених документів : 3
Показані документи с 1 за 3

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Горячко А., Мельник П. В., Находкін М. Г.
Назва : Пропозиція структури графен/Ge(111) на основі дослідження методом скануючої тунельної мікроскопії у надвисокому вкуумі
Місце публікування : Український фізичний журнал: науковий журнал/ Національна академія наук України, Інститут теоретичної фізики ім. М. М. Боголюбова НАН України. - К., 2016. - Т. 61, № 1. - С. 77-90: рис. 7 (Шифр У7/2016/61/1)
Примітки : Бібліогр.: с. 90 (27 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК : 537.533/.534
ББК : 22.338
Предметні рубрики: Фізика
Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): германій--графен--сканувальна тунельна мікроскопія--електронні стани--електронні структури--напівпроводники--електрична провідність--рух заряджених частинок--електричне поле--магнітне поле--германий--сканирующая туннельная микроскопия--электронные состояния --электронные структуры--полупроводники--электрическая проводимость--движение заряженных частиц--электрическое поле--магнитное поле
Анотація: У роботі наведено результати експериментальних спостережень методом скануючої тунельної мікроскопії нової поверхневої надструктури 5,5v3 x 5,5v3 - R30[[p]]o[[/p]] на підкладці Ge(111). Їй притаманні яскраво виражені ефекти локальної густини електронних станів, що спричиняють сильну залежність СТМ зображень від тунельної напруги, а також їхні динамічні зміни при 300 К. Запропновонано інтерпретацію даної надструктури як графену, що формується у малих субмоношарових кількостях шляхом піролізу вуглеводневих складових залишкової атмосфери вакуумної камери під час відпалу зразка Ge(111) при 900 К. Побудовано атомарну модель гетероепітаксійного інтерфейсу графен/Ge(111)-5,5v3 х 5,5v3 - R30[[p]]o[[/p]], що відзначається реконструйованою підкладкою Ge(111) без дального порядку під шаром графену, який є періодично вигнутим по висоті внаслідок просторових варіацій міжатомної геометрії надзвичайно сильно неузгоджених граток Ge(111) та графен (0001).
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Бойчук В. І., Білинський І. В., Пазюк Р. І.
Назва : Мінізонна електропровідність у надгратках сферичних квантових точок гетеросистеми InAs/GaAs
Місце публікування : Український фізичний журнал. - Київ, 2017. - Т. 62, № 4. - С. 335-342: рис. 5
Примітки : Бібліогр.: с. 340-342 (36 назв) . - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК : 621.315.592
Предметні рубрики: Фізика
Физика
Напівпровідники
Полупроводники
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): квантові точки--надгратки--електронні стани--мінізона--електрична провідність--квантовые точки--сверхрешетки--электронные состояния--минизоны--электрическая проводимость
Анотація: Досліджуються електричні властивості напівпровідникових наногетеросистем InAs/GaAs з 2D-надгратками сферичних квантових точок. Отримані залежності групової швидкості електронів від хвильового вектора та номера мінізони. Встановлено залежність рівня Фермі системи електронів в мінізонах від концентрації донорних домішок, енергії їх залягання та температури. Досліджено температурну залежність концентрації основних носіїв та електропровідності для різних значень концентрації та енергії залягання донорів.
Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_4\8.pdf
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Булавін В. І., В'юник І. М., Лазарєва Я. І.
Назва : Дифузія і мікроскопічні характеристики довжини часу та швидкості переносу однозарядних іонів у гранично розбавлених водних розчинах
Місце публікування : Український фізичний журнал. - Київ, 2017. - Т. 62, № 9. - С. 765-774: рис. 6
Примітки : Бібліогр.: с. 773-774 (24 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК : 537.533/.534
Предметні рубрики: Фізика
Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Рух заряджених частинок в електричних і магнітних полях
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): однозарядні іони--однозарядные ионы--дифузія--диффузия--електрична провідність--электрическая проводимость--радіус стокса--стокса радіус--радиус стокса--стокса радиус--негативна сольватація--отрицательная сольватация
Анотація: Коефіцієнти дифузії і мікроскопічні характеристики довжини (d), часу і швидкості дифузійного зміщення 19 однозарядних іонів (Li [[p]]+[[/p]], Na[[p]]+[[/p]], K[[p]]+[[/p]], Rb[[p]]+[[/p]], Cs[[p]]+[[/p]], F[[p]]-[[/p]], Cl[[p]]-[[/p]], Br[[p]]-[[/p]], I[[p]]-[[/p]], NO[[p]]-[[/p]][[d]]3[[/d]], CNS[[p]]-[[/p]], CIO[[p]]-[[/p]][[d]]4[[/d]], NH[[p]]+[[/p]][[d]]4[[/d]], Me[[d]]4[[/d]] N[[p]]+[[/p]], Et[[d]]4[[/d]]N[[p]]+[[/p]], Pr[[d]]4[[/d]]N[[p]]+[[/p]], Bu[[d]]4[[/d]]N[[p]]+[[/p]], Pent[[d]]4[[/d]]N[[p]]+[[/p]], BPh[[p]]-[[/p]] [[d]]4[[/d]]) в воді при температурах від 273,15 К до 473,15 К розраховано з літературних даних щодо граничної молярної електричної провідності цих іонів. Аналіз отриманих даних показав, що довжина дифузійного зміщення іона корелює з його типом сольватованості. При середніх значеннях d, що перевищують кристалографічний (структурний) радіус іона (r [[d]]i[[/d]]), останній сольватований позитивно. Якщо ж величина d менша r [[d]]i[[/d]], то спостерігається негатвина сольватація.
Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_9\4.pdf
Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)