Курилюк, В. В. Розрахунок теплопровідності а-SiO[[d]]2[[/d]] та нанокомпозита на його основі методом молекулярної динаміки / В. В. Курилюк, С. С. Семчук // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 9. - С. 841-848 : рис. 5, табл. 3. - Бібліогр.: с. 847-848 (28 назв)
Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому Кл.слова (ненормовані): коефіцієнт теплопровідності -- теплопровідність твердих тіл -- молекулярна динаміка -- нанокомпозит -- аморфний SiO[[d]]2[[/d]] -- нанокристал -- метод нерівноважної молекулярної динаміки -- взаємодія Біста-Крамера-Сентена -- взаємодія Терсоффа -- взаємодія Вашишти -- кремнієві нанокристали -- поділ матриці-нанокристалу -- коэффициент теплопроводности -- теплопроводность твердых тел -- молекулярная динамика -- аморфный SiO[[d]]2[[/d]] -- нанокристалл -- метод неравновесной молекулярной динамики -- взаимодействие Биста-Крамера-Сентэна -- взаимодействие Терсоффа та Вашишти -- взаимодействие Вашишти -- кремниевые нанокристаллы -- разделение матрицы-нанокристаллов Анотація: За допомогою методу нерівноважної молекулярної динаміки розраховано теплопровідність амфорного SiO[[d]]2[[/d]] в широкому інтервалі температур з використанням емпіричних потенціалів міжатомної взаємодії Біста-Крамера-Сентена, Терсоффа та Вашишти. З використанням потенціалу Терсоффа розраховано теплопровідність композита на основі амфорного SiO[[d]]2[[/d]] з нанокристалами Si. Показано, що зі збільшенням об'ємної частки кремнієвих нанокристалів теплопровідність нанокомпозита спочатку зменшується, досягає мінімуму і починає поступово зростати. Отримані результати пояснено з точки зору розсіювання теплових коливань на межах поділу матриця-нанокристал. Дод.точки доступу: Семчук, С. С. Є примірники у відділах: ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний) |